Platerowanie jonowe (Ion Platering)

Przy platerowaniu jonowym powierzchnia podłoża jest najpierw czyszczona przez bombardowanie jonami w plazmie. Następnie z aparatu wyparnego doprowadzana jest para metalu, która w plazmie ulega częściowemu zjonizowaniu oraz przyspieszeniu na powierzchni podłoża przez ujemne napięcie początkowe podgrzanego podłoża. W ten sposób na podłożu narasta powłoka z odparowanego metalu, a jednocześnie część powłoki lub podłoża jest ciągle zdejmowana (jonizacyjnie) przez bombardowanie jonami. Struktura powstającej powłoki zależy w znacznym stopniu od temperatury podłoża.

 Reaktywne platerowanie jonowe (RIP) 
Plazmowa odmiana platerowania jonowego, w której do plazmy wprowadzany jest reaktywny gaz, reagujący z wyparowanym metalem i tworzący powłokę z powstającego przy tym związku. W ten sposób można na przykład doprowadzić do reakcji par tytanu z azotem, w wyniku czego powstaje powłoka azotkowo- tytanowa.