Z1.

Temperatura wpływa na parametr materiałowy B. Wynika to z zależności tego parametru od ruchliwości  (T). Wpływa to więc na charakterystyki wyjściowe:

.

Konduktywność półprzewodnika samoistnego opisuje wzór:

We wzorze tym od temperatury zależy koncentracja samoistna n_i oraz ruchliwość  ( ~ T^-3/2). Rośnie ona exponencjalnie przy wzroście temperatury, praktycznie identycznie jak n_i , gdyż czynnik potęgowy T^3/2 w funkcji n_i (T) jest znacznie mniej istotny niż czynnik wykładniczy. Temperaturowy współczynnik względnych zmian konduktywności krzemu samoistnego wyraża się wzorem:

Konduktywność półprzewodnika silnie domieszkowanego wyraża się zależnością:

We wzorze tym od temperatury zależy tylko ruchliwość  ( ~ T^-3/2). Konduktywność materiału silnie domieszkowanego maleje, przy wzroście temperatury, lecz wyraża się zależnością potęgową, znacznie słabszą od zależności wykładniczej dla materiału samoistnego.

Gdzie:

Z.2

Tranzystor MOS:

W przypadku modelu m.cz, model małosygnałowy tranzystora MOS

Dioda idealna

Omówić wpływ temperatury na właściwości diody

- charakterystyka wsteczna

β_Z<0 – ef. Zenera; βZ>0 – ef. Lawinowy; βZ≈0 – dla u = 4÷6V

≈8%K^-1

≈16%k^-

- kierunek przewodzenia

Dopuszczalna temperatura złącza: