1. Transkonduktancja tranzystora bipolarnego zależy od:

1. Amplitudy napięcia baza-emiter

2. Amplitudy prądu kolektora

3. Stałego prądu kolektora

4. Przyrostu amplitudy baza – emiter

1. Kanał indukowany tranzystora MOSFET można też określić jako:

1. Warstwę akumulacyjna

2. Warstwę ładunku przestrzennego

3. Warstwę inwersyjną

4. Warstwę dielektryczną

1. Proces epitaksji można zaliczyć do procesów określanych jako

1. Fizyczne osadzanie warstw z fazy ciekłej

2. Chemiczne osadzanie warstw z fazy ciekłej

3. Fizyczne osadzanie warstw z fazy stałej

4. Próżniowe napylanie warstw półprzewodnika

1. W fotolitografii optycznej, wraz z postępami technologii, są stosowane:

1. Źródła światła o coraz mniejszej długości fali

2. Źródła światła o coraz większej długości fali

3. Coraz mniej skomplikowane systemy optyczne do naświetlania fotorezystu

4. Dwutlenek krzemu oraz azotek krzemu w roli fotorezystu

1. W bipolarnych układach scalonych do wytwarzania rezystorów typowo jest używana:

1. Warstwa podłoża

2. Warstwa zagrzebana

3. Warstwa izolacji

4. Warstwa baz

1. Tranzystor Schottk’ego w porównaniu ze zwykłym tranzystorem bipolarnym, charakteryzuje się :

1. Znacznie mniejszą wartością czasu magazynowania (przeciągania) przy przełączaniu tranzystora

2. Znacznie mniejszą wartością częstotliwości charakterystycznej Fr

3. Znacznie większą wartością współczynnika prądowego β

4. Znacznie większą wartością napięcia przebicia złącza kolektorowego

1. Samocentrowanie w scalonych tranzystorach MOS ma przede wszystkim na celu:

1. Zwiększenie pojemności bramka – źródło

2. Zmniejszenie pojemności bramka – dren

3. Zwiększenie napięcia przebicia dren – bramka

4. Zmniejszenie transkonduktancji

1. W technologii SOI do uzyskania warstwy podłoża z dwutlenku krzemu stosuje się proces:

1. Heteroepitaksji

2. Implantacji

3. Homoepitaksji

4. Chemicznego osadzania z fazy ciekłej

1. Do oddzielenia warstw metalizacji na powierzchni układu scalonego należy zastosować dielektryk:

1. O małej wartości przenikalności elektrycznej względnej

2. O dużej wartości przenikalności elektrycznej względnej

3. O dużej wartości konduktywności elektrycznej

4. O małej wartości konduktywności termicznej

1. Zmniejszenie grubości SiO₂ jako dielektryka bramkowego w tranzystorze MOS prowadzi do:

1. Zmalenia transkonduktancji tranzystora MOS

2. Zmalenia pojemności struktury MOS

3. Wzrostu prądu bramki o charakterze tunelowym

4. Wzrostu napięcia przebicia skrośnego między drenem i bramką

1. Skalowanie Układów scalonych MOS z zachowaniem stałości natężenia pola elektrycznego powoduje:

1. Wzrost pojemności struktury MOS

2. Malenie koncentracji domieszki w podłożu

3. Wzrost koncentracji domieszek w podłożu

4. Wzrost napięcia zasilania

1. W scalonych układach unipolarnych tranzystory MOS często pracują w zakresie podprogowym w związku:

1. Z tendencją do zmniejszenia amplitudy logicznej w układach cyfrowych

2. Z dążeniem do uniezależniania parametrów tranzystora od wpływy temperatury

3. Z koniecznością zapewnienia odpowiednio dużych napięć przebicia w tranzystorze

4. Coraz mniejszą koncentracją domieszki w podłożu, wynikają z zasad skalowania

1. W bipolarnych układach cyfrowych o sprzężeniu emiterowym (ECL) podstawowym podukładem jest:

1. Inwerter zawierający parę tranzystorów npn oraz pnp

2. Bramka logiczna typu NAND

3. Komórka typu MNOS

4. Para różnicowa

1. Stosowane w scalonych układach cyfrowych CMOS tranzystory to:

1. Para tranzystorów npn oraz pnp

2. Tranzystory z kanałem wbudowanym

3. Tranzystory normalnie włączone

4. Tranzystory normalnie wyłączone

1. Wzrost mocy w scalonych układach scalonych CMOS może być spowodowany:

1. Maleniem powierzchni złącz dren – podłoże oraz źródło – podłoże

2. Wzrostem temperatury

3. Wzrostem częstotliwości pracy układu

4. Wzrostem pojemności pasożytniczych między ścieżkami metalizacji

1. Amplituda logiczna w scalonym inwerterze CMOS jest praktycznie równa:

1. Napięciu progowemu tranzystora z kanałem typu n

2. Napięciu progowemu tranzystora z kanałem typu p

3. Napięciu zasilania pomniejszonemu o napięcie tranzystora z kanałem typu n

4. Napięciu zasilania

1. Istotną cechą charakterystyczną układów scalonych na zamówienie ASIC jest:

1. Realizacja różnych rozwiązań układowych jedynie przy użyciu technologii CMOS

2. Regularna struktura układów, ułatwiająca automatyzację produkcji

3. Wykorzystanie głównie węglika krzemu (SiC) do wytwarzania tych układów

4. Rezygnacja z kosztownego procesu samocentrowania bramki w strukturach MOS

1. Półprzewodnik do konstrukcji elementów pracujących w zakresie bardzo wielkich częstotliwości powinien:

1. Posiadać dużą wartość krytycznego natężenia pola elektrycznego

2. Posiadać małą wartość szerokości przerwy energetycznej

3. Posiadać dużą wartość ruchliwości nośników

4. Posiadać małą wartość prędkości nasycenia nośników

1. Ograniczenia krzemu do wytwarzania układów scalonych wynikają głównie z powodu:

1. Zbyt dużych kosztów wytwarzania tych układów scalonych

2. Niemożności wytworzenia na wspólnym podłożu układów cyfrowych i analogowych

3. Kłopotów z uzyskaniem warstw dielektryka bramkowego o dobrych własnościach

4. Organicznym zakresem temperatur pracy krzemowych elementów i układów scalonych

1. Obecnie german jest używany przede wszystkim :

1. W mieszaninie z krzemem do wytwarzania tranzystorów bipolarnych

2. Do wytwarzania nowej generacji układów scalonych I²L

3. Do wytwarzania elementów mocy pracujących w wysokich temperaturach

4. Do pasywacji układów scalonych ASIC