Dawid Żaczek

Wykonał Szymon Żaczek

Gr.2

Data wykonania ćwiczenia: 08.03.2014r

OPTOELEKTRONIKA – LABORATORIUM

Ćwiczenie 5

Badanie charakterystyk (właściwości) fotodiody

1. Pomiar charakterystyki widmowej czułości fotodiody.

Rys. 1. Charakterystyki widmowej czułości badanej fotodiody BPYP 41.

Komentarz: Uzyskana charakterystyka na każdej płaszczyźnie w znacznym stopniu odbiega od charakterystyki podanej przez producenta. Jest to błąd gruby którego przyczyny nie jesteśmy w stanie jednoznacznie określić.

1. Pomiar charakterystyki ciemnej fotodiody spolaryzowanej w kierunku przewodzenia.

Rys.3. charakterystyka prądowo-napięciowa fotodiody BPYP 41.

Z charakterystyki:

Up=0.7[V]

Rys.4. charakterystyka ln(iF) = f(uF).

Z charakterystyki:

Is=-25[mA]

Komentarz: Z charakterystyki prądowo-napięciowej odczytane zostało napięcie i wynosi 0.7[V] natomiast z charakterystyki ln(iF) = f(uF).odczytano prąd nasycenia -25[mA]. Charakterystyka ta wiernie odwzorowuje charakterystykę podaną w instrukcji.

1. Pomiar charakterystyk statycznych fotodiody spolaryzowanej w kierunku zaporowym.

Rys.5. Charakterystyki statyczne fotodiody BPYP 41.

Rys.6. Wykres przedstawiaj zależność prądu fotodiody IFD od prądu wejściowego ID5.

Komentarz: Wykresy zależności prądu fotodiody IFD od prądu wejściowego ID5 dla trzech wartości napięć są praktycznie takie same.

1. Pomiar właściwości dynamicznych fotodiody.

W ramach tego podpunktu dokonaliśmy dwóch pomiarów.

R[Ω]	Górna częstotliwość graniczna[Hz]
10k	400K
100K	4-5K

Komentarz: Po przekroczeniu górnych częstotliwości granicznych wysyłanych z generatora przebiegu prostokątnego , po stronie oscyloskopu sygnał prostokątny był bardzo zniekształcony i swoim kształtem przypominał trapez.