1. Zdjąć charakterystykę wyjściową tranzystora BUZ 73 : I_D=f(U_DS) przy U_GS=const.

   Tabela 1

ID[mA]	10	40	80	100	120	150	180	200	220	250
ID[mA]	12	40	82	103	117	155	183	201	221	255
UDS[V]	0,05	0,168	0,390	0,57	1,39	17,3	18,5	18,8	20,1	9

Dla U_GS=3,9[V]

Tabela 2

ID[mA]	10	40	80	100	150	200	250	300	320	350
ID[mA]	9	39	78	95	145	192	245	300	320	350
UDS[V]	0,03	0,127	0,264	0,322	0,512	0,718	1,05	4,5	4,6	7

Dla U_GS=4,1[V]

Tabela 3

ID[mA]	10	40	80	100	150	200	250	300	350	400	450
ID[mA]	8	37	80	100	150	200	250	304	350	400	423
UDS[V]	0,030	0,126	0,284	0,350	0,52	0,715	0,93	1,2	1,51	4,3	4,96

Dla U_GS=4,2[V]

Tabela 4

ID[mA]	10	40	80	100	150	200	250	300	350	400	500	600
ID[mA]	10	40	83	105	147	208	253	294	346	392	501	592
UDS[V]	0,034	0,13	0,26	0,331	0,456	0,665	0,8	0,93	1,11	1,275	1,67	2,048

Dla U_GS=5[v]

1. Zdjąć charakterystykę przejściową tranzystora I_D=f(U_GS) przy U_DS=const.

   Tabela 5

UGS[V](int)	1	2	3	3,5	3,8	4	4,2	4,5
UGS[V]	1,1	1,93	2,9	3,46	3,86	4,1	4,24	4,5
ID[mA]	0	0	1	20	50	52	53	54

Dla U_DS=0,5[V]

Tabela 6

UGS[V](int)	1	2	3	3,5	3,8	4	4,2	4,5
UGS[V]	1,03	1,97	3,08	3,45	3,9	4	4,27	4,5
ID[mA]	0	0	1	14	94	95	99	99

Dla U_DS=1[V]

Tabela 7

UGS[V](int)	1	2	3	3,5	3,8	4	4,2	4,5
UGS[V]	1,1	2,1	2,8	3,51	3,81	4	4,21	4,51
ID[mA]	0	0	0	20	101	160	172	176

Dla U_DS=1,5[V]

Badanym elementem był Tranzystor polowy z izolowaną bramką normalnie wyłączony z kanałem typu n

Po wykreśleniu charakterystyki I_D=f(U_DS) można zaobserwować, iż dla mniejszych wartości napiecia gate-source (U_GS) stan nasycenia występuje przy mniejszych wartościach U_DS oraz I_D, co skutkuje brakiem większego wzrostu prądu I_­D przy wzroście U_DS .Dla U_GS=3,9[V] oraz wartości I_D=250[mA] występuje spadek napięcia U_DS. Dla U_­GS=5[V] nie został wyznaczony punkt przejścia z nasycenia do nienasycenia tranzystora.

Dla charakterystki I_D=f(U_GS) przy stałym U_DS można zauważyć, że przy wzroście U_GS wzrasta I_D dla wartości U_DS mniejszych I_D rośnie wolniej niż dla wartości większych oraz stan nasycenia występuje przy większym I_D dla większych U_Ds.

U_T=2,8[V] dla U_DS=1,5[V]; U_T= 2,9[V] dla U_DS=0,5[V] oraz U_T=3[V] dla U_DS=1[V]