Politechnika Opolska

LABORATORIUM

Przedmiot:	Elektronika i Energoelektronika

Kierunek studiów:	Elektrotechnika	Rok studiów:	2
Semestr:	4	Rok akademicki:	2011/2012

Temat:
Tranzystor BJT

Projekt wykonali:
Nazwisko:
1.
3.

Ocena za projekt:	Data:	Uwagi:

Tranzystor bipolarny jest to element półprzewodnikowy o dwóch złączach wykonanych w jednej płytce półprzewodnika. Procesy zachodzące w jednym złączu oddziałują na drugie, a większościowymi nośnikami ładunku elektrycznego są elektrony lub dziury, zależnie od obszaru: elektrony w obszarach typu n, dziury w obszarach typu p.

Możliwe jest przy tym dwojakie uszeregowanie obszarów o różnym typie przewodnictwa: PNP i NPN dające dwa przeciwne typy tranzystorów.

Zasada działania obydwu typów tranzystorów jest jednakowa, różnice występują tylko w kierunku zewnętrznych źródeł napięcia i w kierunkach przepływu prądów. W tranzystorze bipolarnym poszczególne obszary półprzewodnika stykające się z elektrodami są oznaczone:

E – emiter, C – kolektor, B – baza

Małym zmianom prądu bazy odpowiadają wielokrotnie większe zmiany prądu kolektora.

Stosunek prądu kolektora do prądu bazy nazywa się wielkosygnałowym współczynnikiem

wzmocnienia prądowego tranzystora w układzie ze wspólnym emiterem OE (WE)

$$\beta = \frac{I_{c}}{I_{b}}$$

Podobny wzór obowiązuje również dla małych zmian prądu kolektora DIC i małych zmian

prądu bazy DIB, czyli

$$\beta_{0} = \frac{{I}_{c}}{{I}_{b}}$$

Współczynnik β0 nazywa się małosygnałowym współczynnikiem wzmocnienia prądowego tranzystora w układzie WE (OE). Współczynnik β i β0 nie różnią się zbytnio od siebie i często są nazywane w skrócie wzmocnieniami prądowymi tranzystora. Wartości ich wynoszą od kilkunastu (tranzystory dużej mocy) do kilkuset, a nawet kilku tysięcy (tranzystory małej mocy, układy Darlingtona).

Tranzystor bipolarny jest zatem elementem wzmacniającym, gdyż małe zmiany prądu bazy powodują duże zmiany prądu kolektora. Tranzystor NPN

Celem ćwiczenia było zapoznanie się z tranzystorem . Ponieważ w pierwszym pomiarze wyniki odbiegały od normy a charakterystyka sporządzona z tych wyników wygląda tak jak przedstawiono niżej sprawą jasną stało się że tranzystor jest uszkodzony i pomiar który był dokonany dotyczył jedynie samego zasilacza. Z tego powodu dalsze pomiary nie doszły do skutku i zostało przesunięte na kolejne ćwiczenia. Udało się ustalić jedynie typ tranzystora jako NPN oraz przedstawić otrzymane wyniki

Ib=10mA
Uce[V]
6,5
8
10
12
14
16
18
20