Laboratorium Układów Elektronicznych
Radosław Sobociński, gr.22,
Temat: Układy Logiczne
1. Klucz tranzystorowy
Schemat układu:
1.1 Charakterystyka przejściowa:
Wyniki pomiarów:
Uwe [V] | 0 | 0,1 | 0,16 | 0,25 | 0,3 | 0,4 | 0,5 | 0,6 | 0,65 | 0,7 | 0,8 | 1 | 3,247 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Uwy [V] | 5,038 | 5,022 | 5,021 | 5,017 | 5,016 | 5,013 | 4,995 | 4,37 | 1,636 | 0,145 | 0,094 | 0,064 | 0,028 |
Prąd płynący przez rezystor Rc przy tranzystorze:
-odciętym
-nasyconym
2. Charakterystyki bramek TTL
Uwe [V] | 0,074 | 0,276 | 0,475 | 0,691 | 0,875 | 1,07 | 1,283 | 1,468 | 1,673 | 1,824 | 1,924 | 2,138 | 3,21 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Iwy [mA] | 3,9 | 3,85 | 3,27 | 2,47 | 0,5 | 0,06 | 0,05 | 0,045 | 0,045 | 0,045 | 0,045 | 0,045 | 0,045 |
2.1 Charakterystyka wejściowa Iwe(Uwe)
2.2Charakterystyka przejściowa UWY(UWE)
Uwe [V] | 0 | 0,3 | 0,6 | 0,9 | 1,2 | 1,5 | 1,8 | 3,2 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Uwy [V] | 4 | 3,81 | 3,38 | 2,625 | 0,065 | 0,0656 | 0,065 | 0,065 |
2.3 Charakterystyka wyjściowa Uwy(Iwy)
Niski poziom logiczny na wyjsciu
Uwy [V] | 1,1 | 1,9 | 2,84 | 3,85 | 8,5 | 10,62 | 15,2 | 18,2 | 21,1 | 25,3 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Iwy[mA] | 0,06 | 0,07 | 0,08 | 0,09 | 0,13 | 0,15 | 0,18 | 0,21 | 0,23 | 0,27 |
Wysoki poziom logiczny na wyjsciu:
Uwy [V] | 3,34 | 3,33 | 3,31 | 3,29 | 3,28 | 3,25 | 3,22 | 3,2 | 3,1 | 3,05 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Iwy[mA] | 0,79 | 0,89 | 1 | 1,2 | 1,4 | 1,69 | 2,1 | 2,3 | 3,25 | 3,6 |
-przy zmianie napięcia wyjściowego z wysokiego na niskie
tpHL = 5 us
-przy zmianie napięcia wyjściowego z niskiego na wysokie
tpLH = 2,5 us
4. Bramki z otwartym kolektorem
Schemat układu
4.1 Tablica stanów logicznych:
WE1 | WE2 | WE3 | WE4 | WY |
---|---|---|---|---|
0 | 0 | 0 | 0 | 1 |
0 | 0 | 0 | 1 | 0 |
0 | 0 | 1 | 0 | 0 |
0 | 0 | 1 | 1 | 0 |
0 | 1 | 0 | 0 | 0 |
0 | 1 | 0 | 1 | 0 |
0 | 1 | 1 | 0 | 0 |
0 | 1 | 1 | 1 | 0 |
1 | 0 | 0 | 0 | 0 |
1 | 0 | 0 | 1 | 0 |
1 | 0 | 1 | 0 | 0 |
1 | 0 | 1 | 1 | 0 |
1 | 1 | 0 | 0 | 0 |
1 | 1 | 0 | 1 | 0 |
1 | 1 | 1 | 0 | 0 |
1 | 1 | 1 | 1 | 0 |
4.2 Wpływ rezystancji obciążenia na właściwości częstotliwościowe bramek z otwartym kolektorem
Dla R0=10kΩ, tn=4µs
Dla R0=1kΩ, tn=0,4µs
Czas narastania napięcia wyjściowego przy mniejszej rezystancji obciążenia jest mniejszy, czyli im mniejsza ta rezystancja tym układ może pracować przy większych częstotliwościach.
5. Przerzutnik RS:
5.1 Z bramek NOR
Schemat:
Tabela stanów
R | S | Q | |
---|---|---|---|
0 | 0 | Qt | stan pamiętania |
0 | 1 | 1 | wpis jedynki |
1 | 0 | 0 | wpis zera |
1 | 1 | 0 | stan zabroniony |
Schemat: Tabela stanów:
Q | |||
---|---|---|---|
1 | 1 | Qt | stan pamiętania |
1 | 0 | 1 | wpis jedynki |
0 | 1 | 0 | wpis zera |
0 | 0 | 0 | stan zabroniony |