UWAGA WILKI MORSKIE MACIE TU PYTANIA W SKRYPCIE POSZUKAJCIE ODPOWIEDZI I SIĘ UCZCIE POWODZENIA!!! pzdr. Swistak
UWAGA!!! Podane odpowiedzi wcale nie oznaczają prawidłowych!!! Polecam naszą biblię - taki brązowy skrypcik:)
PYTANIA OD GRZESIA
1. Co mówi nam rozwiązanie równania Poissona?
2. Co oznacza skrót SSI?
3. Jak zabezpiecza się CMOS przed przepięciem?
4. Co powoduje użycie warstwy pasywnej jako podłoża?
5. Rozkład napięć UCB, U… w stanie aktywnym-normalnym to?
6. Jaki materiał wykorzystuje się na podłoże? Chyba szafir
7. Czym różni się tr. Schottky od tr. Bipolarnego?
8. Jak zmieni się transkonduktancja przy zmianie prądu nasycenia?
9. Z czym jest problem przy tworzeniu bipolarnych układów scalonych?
10. Jaki poziom ma napięcie wyjściowe inwertera w stanie L?
11. Od czego zależ moc dynamiczna w U.S.?
12. Jakie tranzystory polowe są wytwarzane w układach scalonych?
13. Jaki jest podstawowy element wytwarzany w cyfrowych układach scalonych? Inwerter???
1. Na idealnej diodzie jeśli napięcie stałe zwiększymy z 0.6 do 0.7V to przy 300K prąd stały płynący przez diodę wzrośnie:
55-krotnie
1.17-krotnie
2.71-krotnie
nie da się określić na podstawie tych danych
2. W tranzystorze MOS stan nasycenia oznacza (przypadek idealny)
że konduktancja dynamiczna wynosi zero
rezystancja różniczkowa równa się zero
3. Arsenek galu w porównaniu do krzemu ma:
- większą szerokość przerwy energetycznej
- większą koncentrację…
4. W diodzie pn pojemność dyfuzyjna zależy od:
- grubości złącza
- prądu stałego płynącego przez diodę
5. W inwerterze CMOS wyjściowe napięcie jest równe
napięciu progowemu pMOS
……………………. NMOS
od kilku do kilkunastu mV
6. W układach CMOS wejście zabezpiecza się przed przebiciem przez wmontowanie między nimi
kondensatora o możliwie największej pojemności
rezystora o możliwie małej rezystancji
odpowiednio spolaryzowanej diody
odpowiednio spolaryzowanego tranzystora
7. W złączy p+n szerokość warstwy ładunku przestrzennego zależy od
8. W układach scalonych praktycznie nie wstawia się
kondensatorów powyżej 1mikroF
rezystorów poniżej 500 omow
9.W układach scalonych użytecznym tranzystorem jest
podłożowy
10.Diody z węglika krzemu w porównaniu z krzemowymi charakteryzują się
znacznie większym napięciem przebicia
PYTANIA ŻETONA
1. Proces epitaksji używany jest do:
osadzania warstwy monokryształu
2. W tranzystorze MOS istnienie kanału w zakresie triodowym, istnienie kanału odpowiada:
zubożeniu
wzbogaceniu
inwersji
dyspersji częstotliwości
3. Niezerowa admitancja wyjściowa Yzze tranzystora bipolarnego jest spowodowana
niezerową Cje
pojemnością Cjc
4. Typowy spadek napięcia na diodzie Schottkyego wynosi
5. Układy TTL serii 7400 zaliczane są do
ASIC
VLSI
SOI
SOS
6. Inwerter CMOS w stanie wysokim (chodzi o tranzystory zakres pracy odcięcie-przewodzenie)
7. Konduktancja dynamiczna zależy od prądu stałego
liniowo
exponencjalnie
pierwiastkowo
nie zależy
8. Pojemność warstwy opróżnionej bariery (poza obszarem bariery) wpływa na:
9. Prąd drenu w MOSie zależy od: UGS, UDS, iG UDS
10. Układy ECL charakteryzują się
11. Do jakich układów zaliczamy I2L
12. Problemem w układach scalonych jest
uzyskanie duzego beta i…
wartości rezystancji poniżej 100 omów
wartości pojemności powyżej 1 mikroF
13. Moc w statycznych układach układach scalonych powoduje
pogorszenie odprowadzania ciepła
1.Jaka skala integracji jest w układach TTL
2.Jakie są wartości rezystorów wytwarzanych z warstwy baz
3.Jakie są wartości rezystorów wytwarzanych z warstwy emiterów
4.Z czego są wykonane rezystory i jakie wartości osiągają
5.Jakie typy tranzystorów są w TTL
6.Czasy ON i OFF bramki NAND
7.Polaryzacja złącza (diody w kierunku przewodzenia) jakie są zwroty napięć?
8. Polaryzacja złącza (diody w kierunku przewodzenia zaporowym) jakie są zwroty napięć?
9. Inwerter CMOS
10. Gdzie złącze Schottkiego poprawia szybkość
11. Budowa strukturalna elementów na przykład gdzie występuje kieszeń typu n (pMOS)
12. Co to jest mnos
13. FAMOS
14. Co oznacza SIT
15. Co zapewnia zastosowanie podłoża z arsenku galu
16. Tranzystor IGBT
17. Struktura MIS
18. Jaką ch-kę stosujemy do opisu tranzystorów
19. Podłoże SOI technologia
20. Tranzystor MESFET
21. W jaki sposób uzyskać diodę z tranzystora sposób połączenia
22. Układ CMOS jak zależy moc od częstotliwości ECL
23. Napięcia L i H dla TTL i CMOS
24. homo i heteroepitaksja
25. Skalowanie układów - zmiana parametrów
1