POLITECHNIKA POZNAŃSKA

Instytut Elektroniki i Telekomunikacji Zakład Podstaw Elektroniki

TRANZYSTOR BIPOLARNY

Laboratorium Elementów i Układów Elektronicznych

Poznań 1997

Tranzystor bipolarny

I Cel ćwiczenia:

Zdjęcie charakterystyk statycznych wejściowych, przejściowych oraz wyjściowych tranzystora bipolarnego pracującego w układzie wspólnego emitera,

wyznaczenie parametrów "h" dla schematu zastępczego tranzystora w układzie wspólnego emitera na podstawie uzyskanych charakterystyk statycznych (dla małych sygnałów).

II Układ pomiarowy:

W skład zestawu pomiarowego wchodzi:

- sterowane źródło prądowe służące do wymuszenia stałego prądu bazy tranzystora (I_B) w zakresie O - 400 µA,

- stabilizowane źródło napięciowe (regulowane w zakresie O - l O V) do utrzymania stałego napięcia między kolektorem a emiterem tranzystora (Uce), niezależnie od prądu kolektora Ic; źródło to posiada zabezpieczenie nadprądowe,

- zespół mierników cyfrowych.

Elementem mierzonym jest popularny tranzystor krzemowy BD135.

III Przebieg ćwiczenia:

1. Zdjąć charakterystyki wejściowe ib = f(UeE) przy uce = const
   dla uce = O oraz uce = 5V.

2. Zdjąć rodzinę charakterystyk wyjściowych Ic = f(U_CE) przy i_b = const
   dla i_b € (50 - 400) µA z odstępem co 50µA.

3. Zdjąć charakterystyki przejściowe tranzystora:

a) Ic = f(I_B) przy u_ce = const, dla u_ce € {2, 5, 9} V

Uwaga: pomiary należy zakończyć na prądzie i_b, przy którym nie można już utrzymać zadanej wartości u_ce,

b) u_be = f(U_CE) przy i_b = const, dla i_b = 50µA oraz i_b = 200µA.

4. Na podstawie uzyskanych charakterystyk wyznaczyć wartości parametrów
"h" tranzystora w otoczeniu punktu Ic = 25mA, u_CE = 5V.

IV Sprawozdanie

W sprawozdaniu należy zamieścić: wyniki pomiarów, wykresy charakterystyk, wyniki obliczeń,

- wnioski.

V Parametry tranzystora BD135 (wartości graniczne dla Tamb=25°C):

• typ n-p-n, obudowa TO 126 (CE39),

• u_cbo = 45V,

• u_ceo = 45V,

• u_ebo - 5V,

• Ic - 0.5A,

Icpeak = 1.5A,

• Ptot = 6.5W przy Tc=60°C,

• Tj = 125°C,

• Rthj-c = 10°C/W,

• fr = 200MHz (typ).

---