POLITECHNIKA SZCZECIŃSKA WYDZIAŁ MECHANICZNY
ELEKTRONIKA SPRAWOZDANIE
TEMAT:	Tranzystor
ROK AKADEMICKI 1995/96 ...........................................................		WYDZIAŁ MECHANICZNY .................................................................................	ZESPÓŁ NR 1B .............................................
PROWADZĄCY ĆWICZENIA ......................................... ..................................................................................		DATA WYKONANIA ĆWICZENIA 7.03.1996 ..................................................................................................	NR ĆWICZENIA 2.11 ...............................................

1. Budowa i zasada działania tranzystora.

Tranzystory najogólniej można podzielić na bipolarne, których działanie opiera się na przepływie zarówno prądu elektronowego jak i dziurowego, oraz tranzystory unipolarne, w których przepływ prądu zachodzi za pośrednictwem nośników tylko jednego znaku.

Jako półprzewodnik podstawowy jest coraz powszechniej stosowany krzem, ze względu na możliwość pracy w szerszym zakresie temperatur niż german oraz możliwości utworzenia na jego powierzchni trwałej masy tlenkowej.

Tranzystor jest zespołem trzech warstw materiału półprzewodnikowego. Zewnętrzne warstwy mogą być typu n lub p. Środkowa warstwa zawsze jest wykonana z materiału przeciwnego typu niż warstwa zewnętrzna.

Tranzystor pracują zasadniczo w trzech układach pracy

a) układ o wspólnej bazie

b) układ o wspólnym emiterze

c) układ o wspólnym kolektorze

Układ ze wspólną bazą ma małe wzmocnienie prądowe. Wzmocnienie napięciowe jest rzędu kilkuset do kilku tysięcy. Układ ten ma małą oporność wejściową, a dużą wyjściową. Jest rzadko stosowanym układem.

Układ ze wspólnym emiterem daje wzmocnienie prądowe równe w przybliżeniu b=a/(1-a) Wzmocnienie napięciowe jest rzędu kilkuset. Układ ten zapewnia największe wzmocnienie mocy.

Układ ze wspólnym kolektorem daje wzmocnienie prądowe o taką samą wartość niż poprzedni. lecz wzmocnienie napięciowe <1

W celu zapoznania właściwej pracy tranzystora, poszczególne złącza muszą być odpowiednio spolaryzowane. Złącze emiter-baza należy spolaryzować w kierunku przewodzenia, złącze baza-kolektor w kierunku zaporowym.

Złącze baza-emiter jest spolaryzowane w kierunku przewodzenia, a złącze kolektor-baza w kierunku zaporowym. Dzięki spolaryzowaniu złącza emiter-baza w kierunku przewodzenia płynie przez nie stosunkowo duży prąd. Prąd płynący z emitera do bazy jest przede wszystkim prądem dziurowym. Dziury przechodzące przez złącze baza-emiter przenikają przez materiał bazy w pobliżu drugiego złącza. Ujemny potencjał kolektora przyciąga dziury znajdujące się w pobliżu złącza baza-kolektor. Dziury które przeszły do kolektora są zastępowane nowymi dziurami przechodzącymi przez bazę. Jeżeli baza jest bardzo cięką to tylko nieliczne elektrony mogą rekombinować z dziurami pochodzącymi z emitera, a zatem większość dziur dotrze do kolektora. Podsumowując można stwierdzić, że prąd emitera jest duży, prąd kolektora jest prawie równy prądowi emitera, a prąd bazy jest różnica między tym prądem jest bardzo mała. Działanie tranzystora n-p.-n jest podobne, należy wziąć tylko pod uwagę odwrotną polaryzację złącz i charakter prądu - elektronowy a nie dziurowy.

2. Schemat połączeń.

Schemat połączeń układu z transformatorem.

2.Zdejmowanie charakterystyki I_K = f ( I_B ) przy U_KB = cons.

TABELA POMIARÓW

Lp.	IK	IB	UEB
	[mA]	mA	[V]
1	4,0	50	2
2	7,5	90	2
3	11,0	130	2
4	14,5	175	2
5	17,0	200	2
6	21,0	250	2
1	4,5	50	3
2	8,0	90	3
3	11,5	130	3
4	15,0	175	3
5	17,0	200	3
6	22,0	250	3
1	5,0	50	4
2	8,5	90	4
3	12,0	130	4
4	16,0	175	4
5	18,0	200	4
6	22,5	250	4

Zdejmowanie charakterystyki I_K = f ( U_EK ).

TABELA POMIARÓW

Lp.	IK	UEK	IB	IK	UEB	IB	IK	UEB	IB
	[mA]	[V]	mA	[mA]	[V]	mA	[mA]	[V]	mA
1	1,50	0,10	50	2,50	0,10	100	5,00	0,10	250
2	3,00	0,17	50	3,75	0,20	100	11,00	0,20	250
3	3,50	0,25	50	8,25	0,30	100	19,00	0,30	250
4	4,00	0,40	50	8,50	0,60	100	20,00	0,40	250
5	4,00	0,60	50	8,50	1,00	100	20,00	0,60	250
6	4,20	1,00	50	8,50	2,00	100	20,50	1,00	250
7	4,25	2,00	50	8,50	4,00	100	21,00	2,00	250
8	4,50	4,00	50	8,75	6,00	100	21,50	4,00	250
9	4,50	8,00	50	9,00	8,00	100	22,50	7,00	250
10	4,50	10,00	50	9,50	10,00	100	24,00	10,00	250

5.Literatura.

F.Przeździecki : Elektrotechnika i elektronika, PWN, W-wa

J.Chabłowski : Elektrotechnika w pytaniach i odpowiedziach, WNT, W-wa

T.Zagajewski : Układy elektroniki przemysłowej, WNT, W-wa

---