Politechnika Śląska

Wydział: Mechaniczny Technologiczny

Laboratorium elektroniki i techniki mikroprocesorowej

Temat ćwiczenia: Tranzystory polowe i elementy optoelektroniczne

Data przeprowadzenia ćwiczenia: 19.03.1999

Piątek godz.12⁰⁰

Sekcja XII : Dziedzic Jarosław, Duda Wojciech

Rok akademicki: 1998/99, semestr IV

Kierunek: Automatyka i Robotyka

Grupa I

1. Pomiar charakterystyki przejściowej tranzystora polowego złączowego:

I_D = f(U _GS) U DS_. = const

UGS [ V ]	ID/UDS=3V [ mA ]	ID/UDS=5V [ mA ]	ID/UDS=10V [ mA ]
0,5	18,7	18,7	18,7
0,1	13,2	13,2	13,2
0	12	12	12
-0,1	10,8	10,8	10,8
-0,5	6,75	6,75	6,75
-1	3,1	3,1	3,1
-2	0,00001	0,00001	0,00001
-5	0	0	0
-10	0	0	0

2. Pomiar charakterystyki wyjściowej tranzystora polowego złączowego:

I_D = f(U _DS)_. U GS_. = const_.

UDS [ V ]	ID/UGS=-3V [ mA ]	ID/UGS=-2V [ mA ]	ID/UGS=-1V [ mA ]	ID/UGS=0V [ mA ]
0	0	0	0	0
1	0	-0,00001	-3,01	-9
2	0	-0,00001	-3,01	-12
5	0	-0,00001	-3,01	-12
10	0	-0,00001	-3,01	-12

3. Pomiar charakterystyki przejściowej tranzystora MOSFET ze wzbogaconym kanałem typu p:

I_D = f(U _GS) U DS_. = const .

UGS [ V ]	ID/UDS=-5V [ mA ]	ID/UDS=-10V [ mA ]
UGSOFF=0,968	0,0101	0,0101
-1	40,4	40
-2	89,9	89,9
-5	349	359
-7	549	639
-10	849	1200

4. Pomiar charakterystyki wyjściowej tranzystora MOSFET ze wzbogaconym kanałem typu p:

I_D = f(U _DS)U GS_. = const_{. .}

UDS [ V ]	ID/UGS=-1V [ mA ]	ID/UGS=-2V [ mA ]	ID/UGS=-5V [ mA ]
0	0	0	0
-1	12	50	110
-2	12,1	79,9	200
-3	12,1	89,9	270
-4	12,1	89,9	320
-5	12,1	89,9	349
-6	12,1	89,9	359
-7	12,1	89,9	359
-8	12,1	89,9	359
-9	12,1	89,9	359
-10	12,1	89,9	359

5. Pomiar charakterystyki wyjściowej diody luminescencyjnej spolaryzowanej w kierunku przewodzenia

U_D = f( I _we )

Iwe [ mA ]	UD green [ mV ]	UD red [ mV ]
0,001	555	446
0,002	584	471
0,005	613	498
0,01	632	517
0,02	651	535
0,05	676	560
0,1	696	579
0,2	720	600
0,5	760	635
1	807	671
2	884	726
5	1080	861
10	1400	1070
20	2000	1460
50	3800	2610

6. Wnioski

1. Tranzystory unipolarne (polowe) są elementami półprzewodnikowymi, które są sterowane polem elektrycznym.

2. Dla tranzystorów unipolarnych, podobnie jak dla tranzystorów bipolarnych, istnieją trzy podstawowe układy pracy:

• układ ze wspólnym źródłem (WS),

• układ ze wspólnym drenem (WD),

• układ ze wspólnym bramką (WB).

3. Przy małych wartościach U_DS. prąd I_D rośnie w przybliżeniu proporcjonalnie do U_GS. Zakres ten nosi nazwę zakresu liniowego.

4. W tranzystorach unipolarnych złączowych największy prąd drenu płynie przy napięciu U_GS=0.

5. Przy progowym napięciu bramki nazywanym U_{GS OFF} tranzystor polowy nie przewodzi prądu (I_D ≈ 0).

3

5

---