poprawione7, Studia, Politechnika


Ćwiczenie nr 7

TEMAT :ADSORPCJA NA GRANICY FAZ ROZTWÓR-GAZ. IZOTERMA ADSORPCJI GIBBSA.

Ocena :

Podpis :

Napięcie powierzchniowe.

Cząsteczki cieczy w warstewce powierzchniowej znajdują się pod działaniem sił wyciągających ją do wnętrza cieczy. W skutek tego obok ciśnienia wewnętrznego występuje zjawisko napięcia powierzchniowego.

Istniejące siły między cząsteczkami cieczy działają w kierunku zmniejszania powierzchni odgraniczającej ciecz od pary. (na powierzchni siły te, nie są wysycone).

Przemieszczenie cząsteczek z wnętrza cieczy na powierzchnię wymaga wkładu energii , toteż możemy mówić o energii powierzchniowej cieczy, czyli ciecz wykazuje dążność do zmniejszania liczby cząsteczek na swej powierzchni do wielkości możliwie najmniejszą w danych warunkach . W warstwie powierzchniowej musza zatem istnieć siły, zmniejszające powierzchnię które działają wzdłuż powierzchni w każdym jej punkcie. Siły te są niezależne od wielkości powierzchni, lecz jedynie od charakteru cieczy i temperatury, dlatego każda ciecz będzie wykazywać charakterystyczne dla siebie wartości napięcia powierzchniowego.

0x01 graphic
(1)

gdzie:σ-napięcie powierzchniowe.

Z równania (1) wynika, że napięcie powierzchniowe jest liczbowo równe pracy wytworzenia powierzchni jednostkowej i ma wymiar erg/cm2 czyli dyna/cm.

Metoda pęcherzykowa pomiaru napięcia powierzchniowego.

Metoda ta polega na pomiarze ciśnienia niezbędnego, do przerwania błonki powierzchniowej cieczy , przez pęcherzyki powietrza. Wymagane do tego ciśnienie Pm. na końcu kapilary równa się sumie ciśnienia hydrostatycznego Ph na poziomie h i ciśnienia kapilarnego Pς.

Pm= Ph + Pσ (2)

Ciśnienie hydrostatyczne na poziomie h oblicza się za pomocą wzoru:

Ph = ρ gh (3)

gdzie: ρ- gęstość cieczy w danej temperaturze .

Ciśnienie kapilarne, zależy od napięcia powierzchniowego oraz promienia pęcherzyka. Wyznacza się je z porównania pracy zmiany objętości i powierzchni:

p d V=σ d s (4)

0x01 graphic
(5)

Doświadczalne oznaczenie ciśnienia:

0x01 graphic
(6)

stąd:

0x01 graphic
(7)

gdzie: ρ-gęstość cieczy manometrycznej w danej temperaturze

h -głębokość zanurzenia kapilary

r -promień kapilary

Pm -zmierzone ciśnienie manometryczne.

Izoterma adsorpcji Gibbsa.

Powierzchnia ma szczególne właściwości, które odgrywają między innymi zasadniczą rolę w zjawisku adsorpcji, gdyż cząsteczki na powierzchni cieczy maja inny potencjał termodynamiczny niż cząsteczki w głębi cieczy.

W oparciu o zasady termodynamiczne , dotyczące adsorpcji na granicy faz roztwór-gaz przeprowadził Gibbs. Rezultaty ujęte zostały w postaci równania mającego charakter ogólny i stanowiącego podstawę fizykochemicznych zjawisk powierzchniowych. Równanie Gibbsa zwane izotermą adsorpcji ustala zależność miedzy nadmiarem stężeniowym Γi tej substancji, jej potencjałem chemicznym i napięciem powierzchniowym i ma postać:

0x01 graphic
(8)

gdzie: ai oznacza aktywność i-tej substancji.

Ponieważ 0x01 graphic
, równanie /8/ można zapisać w postaci:

0x01 graphic
(9)

lub

0x01 graphic
(10)

Jeżeli przyjmiemy, że dla roztworów rozcieńczonych ai≈ci otrzymamy:

0x01 graphic
0x01 graphic
(11)

Równanie to-(11)- przedstawia najczęściej spotykaną postać izotermy adsorpcji Gibbsa.

Obliczanie adsorpcji z równania izotermy Gibbsa.

Za pomocą równania izotermy Gibbsa można obliczyć i wykreślić przebieg funkcji Γi=f(ci), z przebiegu funkcji σ=f(ci) Obliczenia te można wykonać w różny sposób.

Najczęściej przeprowadza się tzw. wykreślne różniczkowanie krzywej σ=f(ci) które daje wartości pochodnych0x01 graphic
.Różniczkowania te można wykonać w dwojaki sposób:

1. W różnych punktach krzywej σ=f(ci) wykreślamy styczne do niej doprowadzając je do przecięcia się z osią odciętych. Styczne te tworzą z tą osią kąty α12......... Tangensy tych kątów dają odpowiednie wartości pochodnej 0x01 graphic
dla różnych stężeń substancji i w roztworze. Mnożąc uzyskane wartości 0x01 graphic
, przez odpowiednie wyrażenia - ci /RT otrzymuje się, szukane nadmiary powierzchniowe

  1. W różnych punktach krzywej σ=f(c) wykreślamy styczne do niej, przedłużając je do przecięcia się, z osią rzędnych. Przez punkty, w których narysowano styczne, prowadzimy proste równoległe do osi odciętych, doprowadzając je do przecięcia z osią rzędnych. Styczne i odpowiednie proste równoległe do osi odciętych wyznaczają na osi rzędnych odcinki z. Z zależności geometrycznej wynika:

0x01 graphic
=0x01 graphic
(12)

czyli

z = -ci0x01 graphic
(13)

oraz

Γi=0x01 graphic
(14)

OPRACOWANIE WYNIKÓW:

  1. Wyznaczanie promienia kapilary:

0x01 graphic

gdzie:

σ- napięcie powierzchniowe wody = 0,07198 [N/m]

pm- ciśnienie manometryczne [mmH2O];[Pa]

ρ-gęstość wody = 998 [kg/m3]

g- przyśpieszenie ziemskie = 9,81 [m/s2]

h- wysokość słupa cieczy = 0,018 [m]

0x01 graphic

0x01 graphic

  1. Obliczanie napięcia powierzchniowego:

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic

stężenieC2H2OH [%wag]

0

10

20

30

40

50

60

70

80

ciś. manometr.

pm [mmH2O]

84

66

60

56

48

46

40

38

36

napięcie pow.

[N/m]

0,072

0,0524

0,0458

0,0415

0,0327

0,0306

0,024

0,0218

0,0197

  1. Obliczanie aktywności alkoholu etylowego:

0x01 graphic

0x08 graphic
0x01 graphic

  1. 0x08 graphic
    Obliczanie nadmiarów powierzchniowych etanolu metodą graficzną:

a2

0x01 graphic

z

Γ2

[10-6]

0

0

0

0

6,4541*10-3

-0,4715

3,0431*10-3

1,5776

25,72*10-3

-0,1074

2,7623*10-3

1,1339

56,085*10-3

-0,0466

2,6132*10-3

1,0729

97,803*10-3

-0,0257

2,5135*10-3

1,0318

151,46*10-3

-0,0161

2,4385*10-3

1,0010

216,66*10-3

-0,01098

2,3789*10-3

0,9765

305,69*10-3

-0,076

2,3232*10-3

0,9537

435,79*10-3

-0,0052

2,2661*10-3

0,9302

  1. Obliczanie 0x01 graphic

0x01 graphic

  1. Obliczanie z:

0x08 graphic
0x01 graphic

  1. Obliczanie Γ2:

0x01 graphic

5. Obliczanie nadmiarów powierzchniowych metodą analitychną:

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic

T=293K

R=8,314 J/mol

(0x01 graphic
)T,p= kba2b-1

l.p

stężenie

C2H2OH [%wag]

x1

x2

ρ

[g/cm3]

p2

[mmHg]

a2

ln a2

σ [N/m.]

Γ2

[10-6]

0

1,00

0,00

0,998

0,00

0

0

0,072

0

10

0,458

0,042

0,9982

6,7

6,4541*10-3

-5,044

0,0524

9,1819

20

0,911

0,089

0,969

12,6

25,72*10-3

-3,661

0,0458

7,8194

30

0,857

0,143

0,954

17,1

56,085*10-3

-2,881

0,0415

6,7949

40

0,794

0,206

0,935

20,7

97,803*10-3

-2,325

0,0327

0,1185

50

0,719

0,281

0,914

23,5

151,46*10-3

-1,890

0,0306

1,5615

60

0,631

0,369

0,891

25,6

216,66*10-3

-1,528

0,024

2,2336

70

0,524

0,476

0,868

28,0

305,69*10-3

-1,184

0,0218

3,1515

80

0,391

0,609

0,843

31,2

435,79*10-3

-0,830

0,0197

4,4928

  1. Metoda graficzna wyznaczania nadmiarów powierzchniowych jest bardziej dokładna niż metoda analityczna.

0x01 graphic

c1

0x01 graphic



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
nowy poprawiony, Studia, Politechnika
srawozdanie 18 poprawione cdn, Studia, Politechnika
fiza egzamin (poprawione), 1 STUDIA - Informatyka Politechnika Koszalińska, muniol, I rok, Fiza-Elek
Funkcje podrecznika poprawione, studia polonistyka
Prawo inżynierskie i ochrona własności intelektualnych. Wykład 3, Studia, Politechnika Łódzka - Pend
Testy biodegradacji, Studia, Politechnika
Chf9, Studia, Politechnika
Wyznaczanie stałej reakcji szybkości zmydlania estru, Studia, Politechnika
CH.F.L9, Studia, Politechnika
pp egzamin poprawiany, STUDIA, Podstawy pielęgniarstwa, Egzamin
ZAKAAD CHEMI FIZYCZNEJ, Studia, Politechnika
C15, Studia, Politechnika
planck poprawka, studia, semestr II, SEMESTR 2 PRZYDATNE (od Klaudii), Od Górskiego, II semestr, Fiz
Energetyka test 3B poprawa, Studia Akademia Morska Gdynia, Semestr IV, Energetyka
podstawowe informacje o ochronie prawnej wzorów przemysłowych, Studia - Politechnika Śląska, Zarządz
Sprawko spawalnictwo 1, studia, studia Politechnika Poznańska - BMiZ - Mechatronika, 2 semestr, obro
dziadek25, Studia, Politechnika
4 2 vademecum echosondy (w tym przykładzie wodnej), studia, studia Politechnika Poznańska - BMiZ - M
LABORKA7, Studia, Politechnika

więcej podobnych podstron