Temat: Badanie tranzystorów polowych FET.
Pomiary wykonali:	Data wykonania pomiarów: 24 XI 2011r. Data oddania sprawozdania: 1 XII 2011r.	Klasa IIIA

1. Pomiar charakterystyki przejściowej I_d=f(U_gs) przy U_ds=const.:

• Pomiar tranzystora z kanałem typu n

Uds	Ugs	[V]	-2,5	-2,2	-2	-1,8	-1,6	-1,4	-1,2	-1	-0,8	-0,6	-0,4	-0,2
2V	Id	[mA]	0	0,02	0,15	0,37	0,7	1,04	1,5	1,97	2,5	3,03	4	4,2
4V	Id	[mA]	0	0,03	0,17	0,38	0,7	1,07	1,50	2,03	2,57	3,17	3,8	4,54
8V	Id	[mA]	0	0,03	0,23	0,42	0,7	1,13	1,54	2,09	2,63	3,23	3,94	4,57
12V	Id	[mA]	0	0,03	0,17	0,43	0,73	1,12	1,56	2,02	2,63	3,26	3,79	4,59

• Pomiar tranzystora z kanałem typu p

Uds	Ugs	[V]	4	3,5	3	2,5	2	1,5	1	0,5	0
-2V	Id	[mA]	0	-0,04	-0,33	-1,05	-1,83	-2,63	-3,59	-4,46	-5,34
-4V	Id	[mA]	0	-0,07	-0,49	-1,17	-2,08	-3,1	-4,29	-5,59	-6,98
-8V	Id	[mA]	0	-0,11	-0,59	-1,29	-2,19	-3,3	-4,57	-5,9	-7,54
-12V	Id	[mA]	0	-0,17	-0,68	-1,47	-2,43	-3,6	-4,9	-6,41	-7,95

2. Pomiar charakterystyki wyjściowej I_d=f(U_ds) przy U_gs=const.

• Pomiar tranzystora z kanałem typu n

Zakres nienasycenia
Ugs	Uds	[V]	0	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6	0,7	0,8	0,9	1
-1,9V	Id	[mA]	0	0,07	0,12	0,16	0,18	0,19	0,2	0,2	0,2	0,21	0,21
-1,2V	Id	[mA]	0	0,2	0,37	0,54	0,7	0,8	0,94	1,02	1,1	1,16	1,23
-1V	Id	[mA]	0	0,24	0,44	0,65	0,82	1	1,17	1,29	1,42	1,5	1,62
-0,5V	Id	[mA]	0	0,3	0,62	0,86	1,17	1,36	1,62	1,84	2,02	2,21	2,38
-0,2V	Id	[mA]	0	0,4	0,73	1,03	1,36	1,68	1,94	2,23	2,47	2,81	2,97

Cały zakres napięcia Uds
Ugs	Uds	[V]	0	0,5	1	2	3	4	5	6	8	10	12
-1,9V	Id	[mA]	0	0,17	0,19	0,2	0,22	0,23	0,23	0,24	0,25	0,26	0,27
-1,2V	Id	[mA]	0	0,82	1,2	1,4	1,45	1,47	1,5	1,52	1,56	1,58	1,9
-1V	Id	[mA]	0	0,96	1,53	1,83	1,91	1,95	1,98	2	2,03	2,06	2,09
-0,5V	Id	[mA]	0	1,37	2,35	3,17	3,36	3,44	3,47	3,49	3,55	3,55	3,56
-0,2V	Id	[mA]	0	1,67	2,9	4,11	4,41	4,51	4,56	4,59	4,62	4,63	4,62

• Pomiar tranzystora z kanałem typu p

Zakres nienasycenia
Ugs	Uds	[V]	0	-0,1	-0,2	-0,3	-0,4	-0,5	-0,6	-0,7	-0,8	-0,9	-1
3V	Id	[mA]	0	-0,05	-0,1	-0,13	-0,16	-0,18	-0,19	-0,21	-0,22	-0,23	-0,24
2V	Id	[mA]	0	-0,16	-0,33	-0,46	-0,62	-0,75	-0,87	-0,97	-1,08	-1,2	-1,29
1V	Id	[mA]	0	-0,29	-0,52	-0,79	-1,04	-1,24	-1,46	-1,66	-1,88	-2,04	-2,23
0V	Id	[mA]	0	-0,4	-0,73	-1,09	-1,45	-1,76	-2,1	-2,41	-2,67	-2,98	-3,26

Cały zakres napięcia Uds
Ugs	Uds	[V]	0	-0,5	-1	-2	-3	-4	-5	-6	-8	-10	-12
3V	Id	[mA]	0	-0,23	-0,33	-0,42	-0,46	-0,52	-0,55	-0,58	-0,65	-0,7	-0,76
2V	Id	[mA]	0	-0,69	-1,21	-1,68	-1,88	-2,01	-2,08	-2,15	-2,29	-2,41	-2,46
1V	Id	[mA]	0	-1,15	-2,17	-3,43	-4,08	-4,36	-4,51	-4,62	-4,78	-4,88	-4,97
0V	Id	[mA]	0	-1,66	-3,03	-5,14	-6,47	-7,04	-7,36	-7,55	-7,71	-7,8	-7,86

3. Charakterystyki:



















4. Wnioski:

• W przypadku charakterystyki przejściowej tranzystora polowego typu n; wartość napięcia U_ds nie wpływa na przyrost prądu I_d. Im większe napięcie U_gs tym większy jest prąd I_d,

• Na charakterystykę przejściową tranzystora polowego typu p wpływa napięcie U_gs. Im większe napięcie U_gs tym mniejszy jest prąd I_d (przy stałym napięciu U_ds),

• Charakterystyka wyjściowa tranzystora typu n (w stanie nienasyconym) zależy od napięcia U_gs. Im większe napięcie U_gs tym większy prąd I_d.

• Na charakterystyce wyjściowej tranzystora typu n (badając cały zakres napięcia U_ds) można zaobserwować, że wraz ze wzrostem napięcia U_gs rośnie prąd I_d, z tym ,że dla pewnej wartości U_ds (~3,5V) tranzystor wchodzi w stan nasycenia, a zmiany wartości napięcia U_ds powodują minimalne zmiany prądu I_d.

• W przypadku charakterystyki wyjściowej tranzystora typu p (w stanie nienasyconym) można zaobserwować, że im większe napięcie U_ds tym większy jest prąd I_d.

• Charakterystyka wyjściowa tranzystora typu p (badając cały zakres napięcia U_ds) przedstawia zależność: I_d=f(U_ds) [U_gs=const.], przy czym można zaobserwować, że im większe napięcie U_ds tym większy prąd I_d. Wejście w stan nasycenia następuje przy ok. -4V.

Dalsze zmniejszanie U_ds powoduje minimalne zmiany prądu I_d.

---