 | Pobierz cały dokument referat.z.elektroniki.tranzystory.doc Rozmiar 559 KB |
Krzysztof Jasiński E.D.3.1.
Tranzystor bipolarny. Tranzystor unipolarny.
Tranzystor bipolarny.
Tranzystor jest to element półprzewodnikowy, w zasadzie trójelektrodowy, umożliwiający wzmacnianie mocy sygnałów elektrycznych.
Elementarna struktura tranzystora bipolarnego składa się z trzech wytworzonych na płytce monokrystalicznego półprzewodnika warstw, kolejno npn lub pnp. Warstwy te są nazywane zgodnie z ich funkcjami: E - emiter - dostarcza nośniki mniejszościowe do bazy, B - baza - stanowi podstawę dla obu złączy, C - kolektor - zabiera nośniki wstrzykiwane z emitera do bazy.
Zasada działania.
Działanie tranzystora bipolarnego zostanie rozpatrzone na przykładzie tranzystora npn w stanie aktywnym.
W stanie równowagi, bez polaryzacji rys. 2a, przechodzenie elektronów z emitera i kolektora do bazy tranzystora oraz dziur z bazy do obu przylegających obszarów jest hamowane przez pole utworzone przy obu złączach. Spolaryzowanie złącza emiterowego w kierunku przewodzenia, tzn. przyłożenia napięcia ujemnego na emiter względem bazy, powoduje obniżenie bariery emiterowej rys. 2b. Przez złącze emiter-baza płynie wtedy prąd dyfuzyjny. Wskutek bowiem obniżenia bariery potencjału zostaje zwiększona liczba elektronów wprowadzanych do bazy i zmniejszona liczba dziur wprowadzanych do emitera rys. 2c. Nadmiarowe elektrony wprowadzane do wąskiej bazy poruszają się ruchem dyfuzyjnym w stronę kolektora, jeżeli obszar ten jest jednorodnie domieszkowany . Przy niejednorodnym domieszkowaniu obszaru bazy przepływ wstrzykniętych nośników jest przyśpieszony działaniem pola elektrycznego, jakie powstaje wówczas w obszarze bazy. Po drodze część tych elektronów rekombinuje
z dziurami, które są nośnikami większościowymi w obszarze bazy. Podobnie jak w diodzie, następuje ciągły dopływ dziur od strony zacisku bazy i ciągłe odprowadzanie elektronów z par elektron-dziura powstających w pobliżu tego zacisku. Nadmiarowe dziury wprowadzane natomiast z obszaru bazy do obszaru emitera rekombinują z istniejącymi tam elektronami. Nie uczestniczą one w przepływie prądu kolektorowego i dlatego zmniejsza się ich liczbę przez odpowiednią konstrukcję tranzystora.
Jeżeli złącze kolektor-baza jest spolaryzowane w kierunku wstecznym tzn. kolektor ma wyższy potencjał niż baza, to pole elektryczne występujące w tym złączu powoduje unoszenie nośników
z obszaru bazy do obszaru kolektora. Wartość prądu płynącego przez kolektor może być regulowana przez zmianę wysokości bariery złącza emiterowego, czyli przez zmianę napięcia polaryzującego złącze
emiter-baza.
Właściwości i parametry.
 | Pobierz cały dokument referat.z.elektroniki.tranzystory.doc rozmiar 559 KB |