ROM

Pamieci RAM * dram

PP *sram

FIFO,

Pojemność maksymalna informacjia jaką możemy przechowywać w pamięci Pojemność wyrażona w bitach(b) bajtach(B) kilobajtach Kb i kilobitach KB itd.

1 bajt = 8 bitów

1Kbajt = 1024 bajtów

Adres to liczba w postaci binarnej, której przyporządkowana jest dana komórka pamięci

Czas dostępu mierzony jest od chwili podania adresu do chwili otrzymania informacji (10xns)

Zwiększanie długości słowa

W celu zwiększenia długości słowa pamięci szerszą magistralę danych budujemy z b i t ó w linii danych kolejnych układów scalonych pamięci, natomiast magistralę adresową i sygnały sterujące łączymy równolegle. Połączenie równoległe wejść adresowych oznacza, że we wszystkich układach, z których budujemy blok o większej długości słowa, wybieramy słowa położone w takim samym miejscu. Nie ma żadnego powodu, aby robić inaczej, gdyż jest to rozwiązanie najprostsze. Podobnie z sygnałami sterującymi. Musimy uaktywnić wszystkie układy scalone przechowujące słowa składowe tworzące słowo o zwiększonej długości, stąd równoległe połączenie sygnałów CS#. I wreszcie na wszystkich słowach składowych wykonujemy tę s a m ą o p e r a cję, zapis lub odczyt, co wymaga równoległego połączenia sygnałów R/W#. Opisany sposób najlepiej wyjaśni przykład. Załóżmy, że mamy do d y s p o z y c j i układy scalone pamięci o organizacji IM x 4b (pojemność 4 Mb) oraz IM x Ib ( pojemność 1 Mb) i chcemy zbudować pamięć o organizacji IM x 9b (czyli o słowach bajtowych z bitem kontroli parzystości). Sposób połączenia układów, którymi d y s p o n u j e m y, pokazuje rysunek

Zwróćmy uwagę, że liczba linii adresowych nie zmieniła się (gdyż nie z m i e n i ł a się liczba słów), natomiast zmieniła się liczba linii danych. Opisany sposób jest przykładowo stosowany przy budowie modułów pamięci, (na przykład SIMM, ang. Single In line Memory Module), co schematycznie p o k a z a n o

na rysunku

DRAM:

• po wyłączeniu zasilania informacja ulega skasowaniu

• informacja (binarna) przechowywana w postaci ładunku elektrycznego

• duże pojemności ( setki MB) układy VLSI

• Prosta konstrukcja

• Tanie

• Skomplikowane zasilanie ( wymaga odświeżania)

• Stosunkowo wolna (<10ns)

• Najwięcej z układów cyfrowych produkuje się w pamięci półprzewodnikowych

Standardy pamięci RAM

1. DDR nieużywanie, praca z częstością 200 MHz

2. DDR 2 333, 400 533 MHz

3. DDR 3 - najnowszy transfer do 16gb/s , 2000MHz

---