DSC07556

przewodzenia elektrony mogą się poruszać swobodnie wewnątrz kryształu. W półprzewodniku typu p elektrony są zabierane przez materiał domieszkujący (donor) i powstają dodatnio naładowane dziury które także mogą się swobodnie przemieszczać. Zetknięcie 2 warstw typu p n powoduje samoistnie przemieszczenie się elektronów z warstwy n do warstwy p i dziur z warstwy p do warstwy n i przestrzenne rozseparowanie ładunku oraz powstanie różnicy potencjałów .

i

+			—
	n	fe:+ .1 ^1!
		ir. u

_/ ■

Jeżeli do warstwy półprzewodnika przyłożymy stałe napięcie w kierunku podtrzymującym różnicę potencjałów (pokazanym na powyższym rysunku), zwanym kierunkiem zaporowym, to w półprzewodniku prąd nie będzie płynął.

Przechodząc przez warstwę zaporową półprzewodnika cząstka alfa wielokrotnie przekazuje małe porcje swojej energii tworząc pary elektron-dziura. Elektrony przyciągane są w kierunku dodatniego potencjału a dziury ujemnego. Tak w wyniku przejściu cząstki alfa przez licznik półprzewodnikowy popłynie mały prąd (elektronowy i dziurowy)