ELEKTRONIKA zbiór zadań cz 1 przyrządy półprzewodnikowe str 120 121

120 Elektronika. Zbiór zadań

120 Elektronika. Zbiór zadań

U_r,

3,5MO ,

U po - U_G

16,5 MQ .

Na podstawie wzoru opisującego charakterystykę przejściowa wyznaczamy transkonduktancjc

dl r

-21

DSS

dU,

GS

Up

1--

GS

Up

2,8mS .

5.3 Z równania charakterystyki przejściowej tranzystora obliczamy U_cs

- -1,5 V.

V,

GS

U_P

1-	^lD
	^,DSS

Przyjmujemy R₂= 10 MO oraz /_G-0. Zatem

r, _ ~^UGS

- 3000 .

Z obwodu drenu i źródła Rr

^vdo “ Uds

- R_s « l,3k0 .

5.4 Z równania charakterystyki przejściowej tranzystora obliczamy U_Gsn

GST2

Up

- -1,5V .

¹DSS

Z obwodu drenu i źródła i warunku na punkt pracy

Rd+*s’ ^UdD,~ ^UD™ “ 2kO .

'072

Przyjmujemy /f_s= 1,3 kfl, R_D=0,7 kO.

Obliczamy napięcie bramki

U on “ Vs ⁺ U_GST2 = 5V .

Ponieważ U_GSTl =0 V wiec I_Dn ⁼¹dss⁼ mA- Za^tem

*, - 0^--™ - I,5k0 .

‘dti

Na podstawie wzoru opisującego charakterystykę przejściowa wyznaczamy transkonduktancjc

dl_D    -21dss

” ~uy~

1--

U,

GS

GST

2,8mS

6.Literatura uzupełniająca

„Zbiór zadaó z elektronicznych układów impulsowych", praca zbiorowa WNT 1977 „Cyfrowe układy scalone CMOS", P.Gajewski, J.Turczyński, WKŁ 1990 „Przyrządy MOS w zadaniach", Krzysztof Iniewsld, Andrzej Jakubowski, Bogdan Majkusiak, Wydawnictwa Politechniki Warszawskiej, Warszawa 1991 „Zbiór zadań z układów elektronicznych impulsowych", Tomasz Adamski, Robert Pietrkie-wicz, Wydawnictwa Politechniki Warszawskiej, Warszawa 1991