ELEKTRONIKA zbiór zadań cz 1 przyrządy półprzewodnikowe str 120 121

120 Fltklromka. Zbiór zadań

U_r

Ra -    - 3,5MO ,

UpD ~

16,5 MQ

Na podstawie wzoru opisującego charakterystykę przejściowa wyznaczamy transkonduktancje

dlr

-2/

<DSS

GS

V,

1-

V,

GS

2,8mS .

5.3 Z równania charakterystyki przejściowej tranzystora obliczamy U_GS

- -1,5 V .

U

GS

1-

¹DSS

Przyjmujemy R₂=10 MO oraz /_o**0. Zatem

Z obwodu drenu i źródła

-Um

R_s - —55 - 3000 . 'D

^UDD ~ ^VDS

- R_s - l,3kfl

5.4 Z równania charakterystyki przejściowej tranzystora obliczamy V_asTl

-1,5V .

Ur

1-	^lD
	^,DSS

^VDD " ^UDST2

^J GST2 “ ^UP

Z obwodu drenu i źródła i warunku na punkt pracy

R_d * R_s

2kfl

‘DT2

Przyjmujemy /f_s= 1,3 kO, R_D=0,7 kQ.

Obliczamy napięcie bramki

UgT2 “ ^d^s ⁺ ^GST.2 ⁼ 5V . Ponieważ U_GSTl =0 V wiec lon^=lDSS⁼^ ^mA Zatem

V_DD - U,

cm

^lDTl

l,5kO

Na podstawie wzoru opisującego charakterystykę przejściowa wyznaczamy transkonduktancjc

^UGS

dl_D ~^DSS

1-.

u

GST

2,8mS .

6.Literatura uzupełniąjąca

„Zbiór zadaii z elektronicznych układów impulsowych", praca zbiorowa WNT 1977 „Cyfrowe układy scalone CMOS", P.Gajewski, J.Turczyński, WKŁ 1990 „Przyrządy MOS w zadaniach", Krzysztof Iniewsld, Andrzej Jakubowski, Bogdan Majkusiak, Wydawnictwa Politechniki Warszawskiej, Warszawa 1991 „Zbiór zadaii z układów elektronicznych impulsowych", Tomasz Adamski, Robert Pietkiewicz, Wydawnictwa Politechniki Warszawskiej, Warszawa 1991