Image107

zystora, jako elementu ograniczającego nasycenie tranzystora (rys. 4.37a), nie spowodowało zbyt wielkiego podwyższenia napięcia tranzystora w stanie 0, w porównaniu z rozwiązaniem klasycznym, a znacznie zwiększyło szybkość przełączenia bramki. Dioda Schottky’ego cechuje się dużą szybkością przełączania, wynikającą z braku efektu gromadzenia w niej ładunku. Schemat elektrycz

a

ny bramki TTL-S przedstawiono na rys. 4.37b. W układzie zastosowano diody Schottky’ego na wejściach oraz w obwodzie baza-kolektor wszystkich tranzystorów z wyjątkiem tranzystora T4, który nie wchodzi w nasycenie.

W bramce zastosowano zamiast rezystora tzw. układ aktywny z tranzystorem T3, który umożliwia osiągnięcie prostokątnej charakterystyki przełączenia bramki (rys. 4.38), a jednocześnie zwiększa szybkość przełączania tranzystora T5. Przepływ prądu przez tranzystor 77, a zatem spadek napięcia na jego wyjściu jest możliwy wówczas, gdy obydwa tranzystory 77 i T3 przewodzą.

JM

Ifl

(0 IM iQUi[V]

Rys. 4.38. Charakterystyka przełączania Rys. 4.39. Przebieg prądu I_cc podczas zmiany U₀ = f(Ui) bramki S00    stanu bramki z 0 na 1

Układ z tranzystorem T3 wpływa więc na zwiększenie odporności na zakłócenia w stanie 1, a także na skrócenie impulsu prądowego przy przejściu układu ze stanu 0 do 1 (rys. 4.39).

117