Image174

Przegląd typowych pamięci ROM    Tablica 4.13

Typ pamięci	Firma	Pojemność (organizacja)	Czas dostępu	lec mai [mA]
6230/6231-2	Monoiithic Memories	32x 8 bity	50	125
6200/6201-1 93457/93467	Monoiithic Memories Fairchild	256x4 bity	45	125
82 S214	Signetics	256x8 bitów	60	175
5205/6206-1	Monoiithic Memories	512x4 bity	60	130
82 S215 6240/6241-1 93432/93442	Signetics Monoiithic Memories Fairchild	512x8 bitów	90	170
6250/6251-1	Monoiithic Memoi ies	1024 x 4 bity	60	175
6282/6283-2 93456/93464	Monoiithic Memories Fairchild	1024x8 bitów	55 45	170 170
6275/6276-1	Fairchild	2048 x 8 bitów	110	190

programowane przez użytkownika. Pamięci PROM są stosowane najczęściej w urządzeniach prototypowych, dlatego są najczęściej odpowiednikami produkowanych pamięci ROM. Większość pamięci stałych, programowanych przez użytkownika jest również wykonywana w technologii TTL-S. Czas dostępu, w zależności od pojemności pamięci i organizacji logicznej, wynosi 30 -r- 90 ns. Pamięci te charakteryzują się pojemnością wynoszącą 32 -r- 2048 słów cztero-lub ośmiobitowych. Pamięci PROM są wykonywane najczęściej w dwu wersjach— z wyjściami trójstanowymi lub z wyjściami typu otwarty kolektor. Pamięci te na etapie produkcji mają zapisane zera lub jedynki. Programowanie zawartości pamięci przez użytkownika polega na przepaleniu prądem określonych połączeń wewnątrz matrycy pamięci. Połączenia te są wykonywane z krzemu polikrystalicznego w postaci rezystorów nichromowych lub odpowiednio przewężonych ścieżek łączących emitery tranzystorów matrycy pamięci z liniami bitowymi. Przy połączeniach nichromowych wymagane jest stosowanie wysokich napięć podczas operacji programowania, natomiast przy połączeniach z krzemu polikrystalicznego napięcie wysokie nie jest konieczne.

Na rysunku 4.134 przedstawiono typową komórkę pamięci PROM. Wybranie słowa 0 powoduje przewodzenie wieloemiterowego tranzystora TO. Emitery tranzystora są dołączone do linii bitów poprzez nichromowe połączenia 5 o grubości około 20 nm. W celu zaprogramowania poszczególnych bitów w słowie (zapisane są same zera) należy wybrać słowo przez podanie odpowiedniego adresu, natomiast do wyjść 0 -=- N, które mają być zaprogramowane w stan 1, należy podać napięcie o wartości takiej, aby komparator w układzie sterującym

184