kości działania. Pamięci wykonane w technologii ECL o pojemności 1 kbita cechują się czasem dostępu mniejszym niż 10 ns, natomiast o pojemności 4 kbi-tów — czasem dostępu mniejszym niż 25 ns.
Przegląd typowych pamięci RAM, wykonanych w technologii TTL-S i TTL-LS przedstawiono w tablicy 4.10. Pamięciami dominującymi na rynku amerykańskim są: pamięć 93415A (czas dostępu — 30 ns) i pamięć 93412 (czas dostępu — 45 ns).
Przegląd typowych pamięci bipolarnych RAM Tablica 4.10
Typ pamięci |
Firma |
Pojemność (organizacja) |
Czas dostępu |
lec m.x [mA] |
UCY 780101 |
CEMI |
16x4 bity |
35 |
105 |
27 S02A/S03A |
Advanced Micro |
16x4 bity |
25 |
100 |
27L 502/LSO3 |
Devices |
25 |
35 | |
65 30/6531 |
Monolithlc Memories |
256x1 bit |
55 |
130 |
93412/422 |
Fairchild |
256x4 bity |
45 |
155 |
93L412/422 |
Fairchild |
256x4 bity |
60 |
80 |
74S207/208 |
Texas Instr. |
256x4 bity |
40 |
120 |
74LS207/208 |
Texas Instr. |
256 x 4 bity |
75 |
40 |
93415A/25A |
Fairchild |
1024x1 bit |
30 |
135 |
93L415/L425 |
60 |
65 | ||
93470/71 |
Fairchild |
4096x1 bit |
55 |
155 |
93481A |
Fairchild |
4096x1 bit |
100 |
100/9 |
74S400 |
Texas Instr. |
4096x1 bit |
75 |
100 |
93483 |
Fairchild |
16 384x1 bit |
100 |
Na uwagę zasługuje pamięć 93481A wykonana w technologii I3L (ang. łso-planar Integrated Injection Logic). Powierzchnia struktury tej pamięci wynosi 11,176 mm*. Jest więc ona mniejsza niż powierzchnia zajmowana przez pamięci dynamiczne o tej samej pojemności, wykonywane w technologii n-MOS. Pamięci statyczne wykonywane w technologii n-MOS i VMOS mają coraz lepsze parametry i dorównują w szybkości działania pamięciom bipolarnym. Firma Fair-ch 1 opracowuje pamięć bipolarną o pojemności 16 834X1 bitów (93485), a w najbliższych planach produkcyjnych zapowiada wytwarzanie pamięci 93485
0 pojemności 65 kbitów.
Pamięć RAM 64-bitowa typu 780101
Pamięć 780101 należy do grupy pamięci wyróżniającej się możliwością zapisu
1 odczytu informacji (ang. Random Access Memory). Schemat blokowy pamięci przedstawiono na rys. 4.116. Pamięć składa się z następujących bloków:
— matrycy (64 komórek pamięci), składającej się z 64 przerzutników R-S, zorganizowanych w 16 słów po 4 przerzutniki w każdym słowie.
— dekodera słów,
— wzmacniaczy odczytu i zapisu.
170