Image160

Image160



kości działania. Pamięci wykonane w technologii ECL o pojemności 1 kbita cechują się czasem dostępu mniejszym niż 10 ns, natomiast o pojemności 4 kbi-tów — czasem dostępu mniejszym niż 25 ns.

Przegląd typowych pamięci RAM, wykonanych w technologii TTL-S i TTL-LS przedstawiono w tablicy 4.10. Pamięciami dominującymi na rynku amerykańskim są: pamięć 93415A (czas dostępu — 30 ns) i pamięć 93412 (czas dostępu — 45 ns).

Przegląd typowych pamięci bipolarnych RAM    Tablica 4.10

Typ pamięci

Firma

Pojemność

(organizacja)

Czas dostępu

lec m.x [mA]

UCY 780101

CEMI

16x4 bity

35

105

27 S02A/S03A

Advanced

Micro

16x4 bity

25

100

27L 502/LSO3

Devices

25

35

65 30/6531

Monolithlc

Memories

256x1 bit

55

130

93412/422

Fairchild

256x4 bity

45

155

93L412/422

Fairchild

256x4 bity

60

80

74S207/208

Texas Instr.

256x4 bity

40

120

74LS207/208

Texas Instr.

256 x 4 bity

75

40

93415A/25A

Fairchild

1024x1 bit

30

135

93L415/L425

60

65

93470/71

Fairchild

4096x1 bit

55

155

93481A

Fairchild

4096x1 bit

100

100/9

74S400

Texas Instr.

4096x1 bit

75

100

93483

Fairchild

16 384x1 bit

100

Na uwagę zasługuje pamięć 93481A wykonana w technologii I3L (ang. łso-planar Integrated Injection Logic). Powierzchnia struktury tej pamięci wynosi 11,176 mm*. Jest więc ona mniejsza niż powierzchnia zajmowana przez pamięci dynamiczne o tej samej pojemności, wykonywane w technologii n-MOS. Pamięci statyczne wykonywane w technologii n-MOS i VMOS mają coraz lepsze parametry i dorównują w szybkości działania pamięciom bipolarnym. Firma Fair-ch 1 opracowuje pamięć bipolarną o pojemności 16 834X1 bitów (93485), a w najbliższych planach produkcyjnych zapowiada wytwarzanie pamięci 93485

0    pojemności 65 kbitów.

Pamięć RAM 64-bitowa typu 780101

Pamięć 780101 należy do grupy pamięci wyróżniającej się możliwością zapisu

1    odczytu informacji (ang. Random Access Memory). Schemat blokowy pamięci przedstawiono na rys. 4.116. Pamięć składa się z następujących bloków:

—    matrycy (64 komórek pamięci), składającej się z 64 przerzutników R-S, zorganizowanych w 16 słów po 4 przerzutniki w każdym słowie.

—    dekodera słów,

—    wzmacniaczy odczytu i zapisu.

170


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
C (59) dla oddania jednego strzału z działa musiano wykonać 23 czynności. Załoga stała składała się
Image180 licznika, wyznaczającego kolejne adresy, powoduje oszczędność pojemności bloku pamięci. W t
Image120 4.3. Układy rejestrowe i pamięci 4.3.1.    Rejestry 4.3.1.1.
Image13 Omów działanie pętli: a!j    ytszi&ijśi    2.’ W f
Image13 91. Gdzie należy wykonać dodatkowe uziemienie robocze? -    W sieciach kablow
Image140 Rys. 4.87. Pamięć składająca się z zespołu rejestrów równoległych150
Image164 Projektowanie bloków pamięci Układy pamięci można w prosty sposób łączyć w bloki pamięci o
Image168 należy wyjścia pamięci podzielić na grupy i dołączać do bramek I (S[ - St), albo do bramek
Image174 Przegląd typowych pamięci ROM    Tablica 4.13 Typ
Image179 Urządzenie działa w sposób sekwencyjny, w takt impulsów taktujących. Informacja wyjściowa (
Rola symulacji komputerowej w rozwoju nowoczesnych odlewow wykonanych technologią odlewania tiksotro
kresie praktycznej działalności władzy wykonawczej w sferze tworzenia i zastosowania potencjału obro
img222 (16) 12 czasu wykonania. W tym celu normowaną operację dzieli się na poszczególne zabiegi tec
Image605 rania instrukcji z pamięci i wykonania, w połączeniu z szybkim przeniesieniem, redukują cza
s 129 129 Wykonanie ćwiczenia W zlewkach o pojemności 100 ml przygotować roztwory zawierające jodan

więcej podobnych podstron