Image175

spowodował dołączenie emitera tranzystora do wspólnego potencjału. Jednocześnie zostaje podwyższone napięcie U_cc powodując zwiększenie wartości prądu płynącego w wybranych połączeniach 5 i przepalenie ich.

'B_H •B₀

Rys. 4.134. Typowa komórka pamięci PROM

Typowy schemat ideowy pamięci PROM o organizacji 32X8 bitów przedstawiono na rys. 4.135. Pamięć zawiera 32 tranzystory n-p-n, z których każdy ma połączenie S przepalone w obwodach emiterów. Poszczególne linie słowa są wybierane poprzez 5-argumentowe bramki I-NIE (NAND), które powodują wysterowanie tranzystora i przepływ prądu przez rezystory R_r i R₂.

Załóżmy, że należy zaprogramować stan 1 w pierwszej pozycji słowa 0, a na pozostałych pozycjach stany 0. Na wejście B₀ należy wówczas podać napięcie

Rys. 4.135. Schemat ideowy pamięci PROM o organizacji 32X8 bitów

185