Image418

-emiter tranzystora T8 osiągnie wartość wystarczającą do wprowadzenia go w stan przewodzenia (punkt C na rys. 4.488b). W chwili, gdy tranzystor T8 zostaje wprowadzony w stan przewodzenia, tranzystor T4 zostaje ponownie wprowadzony w stan przewodzenia (poprzez tranzystory T3 i T9), tranzystor T5 zostaje zatkany, T6 włączony i T7 zatkany. Wprowadzenie tranzystora T6 w stan przewodzenia umożliwia powrót wyjścia Q do stanu niskiego (L) i wyjścia Q do stanu wysokiego (H), wówczas też kondensator C zaczyna się ładować przez złącze emiter — kolektor tranzystora T6, rezystor o wartości około 70 Q i przewodzące złącze baza-emiter tranzystora T8. Rezystor o wartości 600 Q umożliwia ładowanie kondensatora w czasie, gdy napięcie w punkcie 10 jest mniejsze niż U_cc — U be (T6) (punkt D na rys. 4.488b). Tranzystor T8 jest utrzymywany w stanie włączenia za pośrednictwem prądu bazy, płynącego przez rezystor R.

W chwili, gdy stan wyjścia Q zmieni się z L na H (koniec generowania impulsu wyjściowego), układy wejściowe są gotowe do ponownego wyzwolenia prze-rzutnika. Jeżeli ponowny impuls wyzwalający pojawiłby się zanim kondensator C zostanie w pełni naładowany do napięcia 4 V, to wyjściowy impuls charakteryzowałby się krótszym, niż w warunkach normalnych, czasem trwania.

Schemat logiczny przerzutnika 121 oraz przebiegi napięć wejściowych, ilustrujące działanie funkcjonalne układu, przedstawiono na rys. 4.489. Podstawowe

b

=Dr

We A, lub A, ⁷ I (M=1)    o---1

Rys. 4.489. Przerzutnik monostabilny 121

a) schemat logiczny, b) przebiegi ilustrujące jego wyzwalanie

Podstawowe parametry techniczne przerzutnika 121    Tablica 4.41

Parametr	Min.	Typ.	Maks.
Napięcie zasilania (Ucc) [V]	4,75	5	5,25
Obciążalność (N)			10
Maksymalne czasy narastania/opadania
Wejście Ai, Aa [V/fzs]	1
Wejście B [V/s]	1
Rezystancja zewnętrzna (nie dołączona końcówka 9) [kO]	1,4		40
Pojemność zewnętrzna [jjlF]	0		1000
fR«2 kO			67
Wypełnienie [%] |r „ 40 k£l			90
Opóźnienie wnoszone przez przerzutnik [ns]		40