Dioda:
Jd = h ( e “Ł> -
Tranzystor:
1) ,U r = 25mV (dla 20° C)
Je ~ - ( Jc + Jb )
Uh
7 ur
ic = Jse ic — Ufec §m
e O
B
C
Tranzystory połowę:
id - Jdss ( 1 - yr~ )~
u p
iD = jDss(l - ~- )2( 1 +XUos) /»
O-
dla obszaru nasyconego
G