CCF20120521008

CCF20120521008



rozkład CaC03 podstawy technologii



wapna i klinkieru


Produkcja wapna palonego polega na rozkładzie węglanu wapnia w temperaturach nie przekraczających zwykle 1200°C.

Teoretyczna temperaturarozkładu węgianu-wapniowego,-to -znaczy taka, w której prężność C02 nad fazą stałą osiąga 1013 hPa, wynosi około 900°C.

W warunkach przemysłowych chodzi o szybki i skuteczny przóbieg procesu (w piecach stosowany jest na ogół wapień kawałkowy o wymiarach dochodzących do 200 mm)

Bryły wapienia zaczynają się rozkładać od powierzchni,

Aby proces mógł zachodzić samorzutnie należy zapewnić trartsport ciepła drogą przewodnictwo przez warstwę CaO, takjaby na granicy CaO - kalcyt utrzymywała się temperatura równowagowa, a więc 900°C. Temperatura gazów musi więc przekraczać 1100°C.



CaC03 CaO + C02

reakcja heterogeniczna

v = f(p, T, rozdrobnienie, zdefektowanie)






Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Proces technologiczny - podstawowa część procesu produkcyjnego obejmująca działania mające na celu
(amw) Materiałoznawstwo str.5 Kamień wapienny, poza wykorzystaniem do produkcji wapna palonego oraz
M Feld TBM194 194 5. Technologiczne przygotowanie produkcji Z kolei w przedmiocie pokazanym na rys.
CCF20120521009 Rozkład węglanu wapniowego jest reakcją endotermiczną i wymaga dostarczenia znacznyc
2. Technika i technologia wierceń rdzeniowych. Wiercenie rdzeniowe polega na zwierceniu pierścienia
Podstawy statystyki, ekonomiki i organizacji (5) Dobór celowy polega na tym, że osoba prowadząca bad
slajd01 gf rozwój technologii wytwarzania półprzewodnikowych rowych i analogowych polegający na uzys
14876 Wyciskanie4 1138 XIII. TECHNOLOGIA TWORZYW SZTUCZNYCH Wyciskanie tłokiem polega na uplastyczni
Układ Krążenia0024 Podstawowe napięcie naczyń krwionośnych miogenne i neurogenne polega na ciągłym s
DSC00047 (39) Układ sekwencyjny Przerzutnik Jest podstawowym elementem układów sekwencyjnych Jego fu

więcej podobnych podstron