w. Oątyfató ELEKTRONIKA W ZADANIACH
Oęić I: Oblkwnie punktów płacy przyrządów półpnKwodniktmyih
skąd obliczamy odpowiadającą temu stanowi wartość napięcia wejściowego:
Uwe = - 0,1 (10 - 5,556) V = - 0.444 V (1.17.5)
Ad 2. Przebieg charakterystyki U wy - f (Uwe) wyrażający się w zakresie aktywnej pracy tranzystora zależnością (1.17.1) oraz wartości graniczne pokazano na rysunku 1.17.4.
Rozwiązanie 2
Ad 1. W stanie nasycenia prąd kolektora tranzystora wynosi:
r ~Ucr, 10 V—0,2 V
• r ~ I — TT~1-—
9.8 mA
(1.17.6)
\'a granicy stanu nasycenia możemy jeszcze wykorzystać zależność lc= P Ib obliczyć:
Ib = 9,8 mA / 100 = 98 \iA Z rysunku 1.17.2 widać, że skoro U be = 0.6 V to prąd płynąfcy przez rezystor /?/ ze źródła zasilania wynosi h = (10 V- 0,6 V) / 90 k£1 = 104,4 \iA, a więc na granicy stanu nasycenia przez rezystor R2 płynie prąd:
h = /; - h - 104,4 nA - 98 \iA = 6,4 pA, który na rezystancji R2 = 10 kśż wytwarza spadek napięcia 64 mV. Tak więc napięcie wejściowe odpowiadające granicy stanu nasycenia musi być
równe: Rys. 1.17.4
Uw = 600 mV - 64 mV = 536 mV
Dla Uwe = 0 wobec tego, że U be = 0,6 V przez rezystor R1 płynie nadal prąd 1/ = 104,4 mA, podczas gdy ze zwartego do masy wejścia wypływa prąd h = U be / R2 = 600 mV /10 kH = 60pA. Prąd bazy tranzystora ma więc wartość:
^ = /; - /2 = 44,4 pA, prąd kolektora: lr -fi -h- 4,44 mA.
a napięcie wyjściowe: Um = Uyjs — lc • Rc -10 V — 4,44 mA • 1 k£2=5,56 V.
Na granicy stanu odcięcia przy napięciu Ube ciągle równym 0,6 V (a zatem przy prądzie l, nadal równym 104,4 pA) prąd bazy staje się równy zeru, czyli cały prąd h płynie przez R2 = 10 kii wywołując na nim spadek napięcia równy 1,044 V. Tak więc napięcie wejściowe odpowiadające granicy stanu odcięcia musi wynosić:
Uwe = 600 mV - 1044 mV = - 444 mV
Wszystkie przedstawione na rysunku 1.17.4 punkty charakterystyczne wyznaczone w rozwiązaniu 1 pokrywają się z obliczonymi powyżej wartościami.
Zadanie 1.18
Rys. 1.18.1
Dla układu pokazanego na rysunku 1.18.1
należy:
1. obliczyć napięcie wyjściowe Uwr przy „wiszącym w powietrzu” (nic podłączonym) wejściu;
2. obliczyć napięcie wyjściowe Uwr przy wejściu podłączonym do masy (dla Uwe = 0);
3. wyznaczyć zakres wartości napięcia wejściowego Uwf., w którym tranzystor T pracuje w stanic aktywnym;
4. dla napięć wejściowych w zakresie 0 < Uwe ^ 12 V wykreślić charakterystykę
przejściową U wy = f ( UwfJ oraz charakterystykę wejściową = U Uwe)',
Zakładamy, że:
- przewodzącą diodę wejściową D można zastąpić spadkiem napięcia UD = 0,6 V niezależnym od wartości prądu diody;
- prąd wsteczny diody D jest bardzo mały i może być pominięty;
w stanie nasycenia tranzystora napięcie Uce wynosi Uce, = 0,2 V i nie zależy od wartości prądu /<■■;
- złącze baza-emiter tranzystora T znajdującego się w stanic aktywnym można zastąpić spadkiem napięcia U be = 0,6 V niezależnym od wartości prądu bazy;
- prądy zerowy i cm tranzystora jest bardzo mały, możliwy do pominięcia;
- współczynnik wzmocnienia prądowego tranzystora P = 50.
Rozwiązanie
Ad ł. Analizę obwodu rozpoczynamy od sytuacji, gdy do diody wejściowej nie jest podłączone napięcie Uwe, tzn. gdy dioda D „wisi w powietrzu”. Aby zorientować się w jakim stanie znajduje się tranzystor obliczmy potencjał w punkcie B w przypadku, gdyby baza tranzystora nie była do niego podłączona. W tej sytuacji przez dzielnik rezystancyjny R/, R2, Ri płynąłby prąd:
y Ecc + Em 12 V +12 V Ri+R. + R, 120 kfi a potencjał punktu B wyniósłby :
= 0,2 mA
UB = Ecc -1 (R, + R2) = 12 V - 0.2 mA • 30 kfl = 6 V
Ponieważ jest on wyższy od 0.6 V mamy pewność, że podłączenie do tego punktu bazy tranzystora spowoduje przepływ prądu bazy Ib i możemy do dalszych rozważań przyjąć, że potencjał tego punktu odpowiada przewodzącemu złączu i wynosi UB = UBe = 0,6 V.
Wyodrębniamy obwód polaryzacji bazy (patrz rysunek 1.18.3) i obliczamy potencjał w punkcie A dla przypadku przewodzącego tranzystora. W tej sytuacji przez dzielnik rezystancyjny Rlr R2, R3 płyną prądy: