tra
181
iranzystora i parametrami zewnętrznego obwodu sterującego. Czas tfotna wyrazić zależnością:
powered by
J^Misi ol
‘h = RpC..
,-UZ-u» u7 - uD..
gdzie: Cwe — Ce + Cc + Cm0nt,
Ce - pojemność złącza emiterowego,
Cc - pojemność złącza kolektorowego,
180
- diody o małym czasie opadania tf, stosowane do formowania bardzo stromych im. pulsów prostokątnych. Całkowity czas przełączania nie ma w tych diodach więk. szego znaczenia, natomiast ważne jest, aby t*/ts « 1.
Takie własności ma tzw. .dioda ładunkowa”, tj. złącze p-n o specjalnym profilu domieszkowania zapewniającym powstanie „wbudowanego" hamującego pola elektrycznego.
9.2.2. Przełączanie tranzystora bipolarnego
W układach impulsowych tranzystor spełnia często rolę bezstykowego przekaźnika, pracując najczęściej w układzie WE. Tranzystor posiada w tej roli dwa stany stabilne: jest to stan załączenia (na rys. 9.3 punkt A) odpowiadający załączeniu styków przekaźnika i stan zablokowania (punkt B na rys. 9.3) odpowiadający rozwarciu
Rys 9.3. Badanie procesów zachodzących przy przełączaniu tranzystora bipolarnego: a) układ pomiarowy, b) ilustracja stanów ustalonych odpowiadających załączeniu i wyłączeniu tranzystora na jego charakterystykach wyjściowych
styków przekaźnika. Tranzystor jest tym lepszym analogiem przekaźnika, im mniejsze jest napięcie nasycenia UcEsat i im mniejszy jest prąd zerowy Ico- Ponieważ przejścia pomiędzy stanami A i B odbywają się szybko, prosta obciążenia wynikająca z napięcia zasilania Ucc i rezystancji obciążenia może przechodzić ponad hiperbolą mocy dopuszczalnej tranzystora. Przebiegi czasowe prądów i napięć w układzie z rys. 9.3a przy prostokątnym napięciu wymuszającym Eg przedstawia rys. 9.4. Przy załączaniu tranzystora w chwili t = 0 początkowo przebieg prądu bazy ib związać jest z procesem ładowania pojemności złączowych. Po zakończeniu ładowania tych pojemności rozpoczyna się proces włączania prądu kolektorowego. Napięcie i Pr^d bazy ustalają się na poziomach określonych statyczną charakterystyką wejściową