Scan0011 5

Parametry przyrządów półprzewodnikowych mocy są przedstawiane w katalogu li jako:

*    wartości dopuszczalne, przy których jest zapewniona poprawna, ciągła praca przyrządu;

*    graniczne wartości dopuszczalne, po których przekroczeniu przyrząd półprze-w i uliiikowy może zostać uszkodzony (podaje się maksymalne lub minimalne war-!■>• < i graniczne);

*    charakterystyki, które dla danego typu przyrządów mają postać:

wvtorsu wartości typowych i skrajnych,

pasma obejmującego wykresy wszystkich możliwych charakterystyk, i i/nar zenia parametrów przyrządów półprzewodnikowych zostały ujednolicone

-    I ili międzynarodowej, aby umożliwić korzystanie z wyrobów różnych producentów i sianil.iiiłowy wykaz oznaczeń). Podawany w katalogach komplet charakterystyk zawie-i u od klik miastu (diody) do kilkudziesięciu (tranzystory i tyrystory) wykresów.

1¹ .lalonc przez producenta i podawane w katalogach wartości parametrów przy-i mi lnu półprzewodnikowych uwzględniają pewne rezerwy; są one konieczne do za-pcu nicnia niezawodnej pracy przyrządów w różnych warunkach eksploatacyjnych.

()/iiai /cnie kodowe parametrów poszczególnych przyrządów półprzewodnikowych ino. \ |c ,i ujednolicone w normach i określa ich podstawowe cechy: konstrukcyjne, lei hm. zile i użytkowe. Kod składa się ze znaków literowych i cyfrowych połączonych

-    it.lp..uiedniej kolejności. W katalogach firmowych podaje się informacje umożli-u ntjiji c m, szyfrowanie kodu.

JA Diody prostownicze

Pul mm tn I charakterystyki statyczne diod. Właściwości statyczne diody u łiNlitliutyi li si.mach pracy, tj. w stanie zaworowym i stanie przewodzenia, przed sta u iu i hiii.ik!.i yslyka napięciowo-prądowa (rys. 2.6). Podstawową cechą diody i* i |> | działanie zaworowe (jednokierunkowe) - przewodzenie prądu w jednym i u i mil ii

Ni nu zaworowy występuje przy ujemnej polaryzacji anody względem katody ' II! l • m li mii charakterystyki), W tym stanie dioda ma bardzo dużą rezystancję (r/ę •tu I" ' 'i l'i \ v zroście napięcia ujemnego na anodzie diody zwiększa się wartość j.uj.ju u •.tcc/itego In Z.c wzrostem temperatury złącza PN zwiększa się również wat »“ • |.ii|Uu wstecznego///,ule zmniejsza próg (wartość) napięcia przebicia (Ąhh) dio .i p.. pi. ekme- enlti napięcia przebicia prąd wsteczny gwałtownie wzrasta, eo po •••••duj. lawinowy w/rost siiai mocy dla kierunku wstecznego następuje przebicie nul im PN i dioda ulega /niszczeniu.

W Mani. zaworowym, pod wpływem występującego impięi ia u -.|r. zilcgo. płynie jun dai.tę . nikoiny piijtl Wstcc. ny//,•. kloty pomija się pi -\ ukrcMBhlu całkowitych o .i !.>••• diody w hji /ottej ilu układów m zęslulllwttsi i oct i liii II.-)

\n l aialiiym h nie podaje się wątłości napięcia pi/ebji ja l a jedynie wartoii i na git: I t.ut ni. a|tuuudu|ij m/l iitlz.nią pi-• i ządti p.iłpt i'Midnil tt>> cyu ii ./) |j

niepowtarzalne szczytowe napięcie wsteczne Ursm, które może pojawiać się na diodzie przypadkowo w znacznych odstępach czasu;

powtarzalne szczytowe napięcie wsteczne Urrm, które może cyklicznie poja-v\ nić się na przyrządzie.

Nimi przewodzenia występuje przy dodatniej polaryzacji anody względem kato-L; Mali len odpowiada odcinkowi charakterystyki zawartemu w I kwadrancie chara! *• ! \ .tyki (rys. 2.6).

i fi i ia ..Pt prostownicza: a) symbol graficzny; b) charakterystyki napięciowo-prądowe h u iiluści temperatury struktury PN: 1 - dla 7} = 25°C, 2 - dla7} = 150°C; c) prze-1 pi|iln i napięcia w układzie jednofazowym o obciążeniu rezystancyjnym; d) schemat ■Ipfeimymloi jednofazowego f 18|

strefa bezpieczeństwa nie podawana prze/ producentów

■ asiiilti .-li. daniu noiniiuh•" vt li mtplęi¹ wsiei oiych diody 11 K|

= HHptę- i- pt . bii Ui, / >i filią li Uii/hIuć •./* ytowr nnplęt ir WHlrc/np.ł htu\i po^u tl il{lpk‘ it •• sil « li! ItiWM ¹ -a tlili. Walni -II' Hllpiy* ił plik \