051

051



T

Rys. 2.18



*a


.ł. 'r,



r ‘ ■;V

/ • V*

&

Zależność prądu diody

czerwonej od

i rezystora Ry


:

\

! X


80    90    100

Rn [k£2j


•. V



napięć AU jest mała, np. 1,5 V zaświecanie i gaśnięcie kolejnych diod sprawia wrażenie płynnego przemieszczania punktu świetlnego. Przy AU ^ 4 V gaśnięcie diody poprzedniej i zaświecenie następnej przebiega skokowo.

Rezystory Rt i R2 tworzą dzielnik napięcia sterującego. Dzielnik ten ogranicza zmiany napięcia Uu do przedziału określonego przez napięcie odniesienia U,a i Uoraz zapobiega wzrostowi napięcia Uu powyżej 6 V.

Rezystory i R7 określają prąd przewodzenia diod elektroluminescencyjnych 0/4-0/6 (rys. 2.18).

W układzie z rys. 2.17 diody świecące są włączane skokowo, ponieważ napięcie AU wynosi 4 V. Układ można przystosować do płynnego włączania diod przyjmując AU np. 1,5 V, ale trzeba zmienić rezystancje rezystorów zgodnie z wzorami:





R


3


U

we min

R*

R

s

R

2

-U

^ref a

~R*

^3+^4


U,-U*


+AU


*3

Rj -f- -f- Rj


S


gdzie:

lref — prąd płynący przez dzielnik R,, R4, Rs, przyjmuje się lltf 5* 0,1 mA;

U w m«x — minimalne i maksymalne napięcie sterujące;

Uttf — stabilizowane napięcie odniesienia (Uref > Uu m#K).


51


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
33450 skanuj0002 (11) 24. Charakterystyka przedstawiona na rys. przedstawia zależność prądu od napię
181 4 Rys.18.8. Zależność granicy plastycznoś ci RQ 2 i wytrzyma!ości na rozciąganie Rm od twardości
Img00247 251 Rys. 4.85-1. Zależność własności porcelany elektrotechnicznej od zawartości składników
68 (16) Rys 66 Zależność współczynnika siły nośnej od typu profilu i wydłużenia a) profil symetryczn
* 92 T Rys. 4.16., Zależność chropowatości powierzchni obrobionej R od liczby przejść wyiskrzających
CCF20110310047 Rys.9.11. Zależność l„ (1) i Zf(2) od rezystywności gruntu p W projektowaniu uziemie
DSC03956 158 WSTĘP DO TECHNIKI ANTENOWEJ Rys. 7.18. Rozkład prądu w dipolu: a) idealnym, b) krótkim
3tom176 - 5. elektroenergetyka przemysłowa 354 S Rys. 5.13. Zależność poboru mocy biernej od napięci
LABORATORIUM SENSORY I SYSTEMY POMIAROWE SENSORY POLA MAGNETYCZNEGO Hy(kA/m) Rys. 18. Zależność wart
IMG86 a)0,20 Temperatura, °C Rys. 8.10. Zależność wielkości ziaren w SWC od: a) temperatury i szybk
Img00176 180 Rys. 3.37-1. Zależność własności termoelektrycznych materiału od koncentracji nośników
Dla każdego układu na rys.7: 1.    Zmierzyć zależność prądu wyjściowego transoptora
freakpp028 54 c) e*=0 Rys. 3.3 (ed.). Zależność bezwymiarowej różnicy temperatury od liczby Fo i Bi
IMG(6 287 (2) 286 Rys. 13.7. Zależność temperatur krystalizacji szkieł od czasu wygrzewania -CoSilSB

więcej podobnych podstron