CCI20110406005

Prąd dyfuzyjny Ia^mIpd+Ini Prąd unoszenia I_u^mIpu⁺Inu.

I

'-■'T©®¹ Ładunek jonów ^L'“ © ®-t__nieruchomych

Ładunek jonów    .

nieruchomych j /

Obszar Ładunku przestrzennego

Rys. 1.7

Złącze PN bez polaryzacji: a) nośniki w obszarach p i n ; b) gęstość ładunku przestrzennego w warstwie zaporowej; c) rozkład potencjału; d) model pasmowy; e) gęstość nośników

© — jony domieszki donorowej, + — dziury, © — jony domieszki akceptorowej,--elek

trony; W_Cp, Wen — dowolna krawędź pasma przewodnictwa w obszarach P i N; Wyp, Wy _n — górna krawędź pasma walencyjnego w obszarach P i N; Wp_p, Wp_n — poziom Fermiego w obszarach P i N

I Elektrony z obszaru N j rekombinujące z dziurami ' z obszaru P

Dziury z obszaru P rekombinujące z elektronami \z obszaru N