I paradach zmiany tempera tury próbki i przy stałej wartości pola Hz to w pierwszym I Kzypadkn (fx = const) napięcie Halla będzie funkcją koncentracji nośników I |załe2ność(9)X zaś w drugim (£/* - const) ~ funkcją ruchliwości nośników ładunku ( I takżtwść (5)). Wartości ruchliwości zmierzone dla różnych materiałów I tikpraewodzących zamieszczono w dodatku D2.
Hurr arąrt znak napięcia Halla zależy od znaku nośników ładunku można na jego I padMawie określić typ nośników podstawowych, odpowiadających za przewodnictwo I itefearyczne w danej temperaturze.
HLk Haflotrony i ich zastosowanie.
Hafiotrony są elementami półprzewodnikowymi o kształcie zbliżonym do praedstawionego na Rys.1. Wykonywane są na bazie materiałów półprzewodnikowych e natenałów litych (Ge) oraz w technologii warstwowej. Ze względu na potrzeby astrologiczne (pomiary pól w szczelinach) jak i racjonalnej konstrukcji określającej ich -wysoką czułość (patrz zaleźność(9)) wykonywane są jako możliwie cienkie Przykład konstrukcji cienkowarstwowej przedstawiono na Rys. Z
Rys. 2. Przykład haUotronu wykonanego w technice cienkowarstwowej.
TbftakaK zastosowanie hallotroraów wymaga rek właściwego opisu. Na ogół p*dąe są charakterystyki, łeb odpowiadające im aachyteam, wiążące napięcie Halla [(% a wym rającym polem elektrycznym Eg (prądem /*) oraz polem magnetycznym HrOah iMkdDcją Do opem noiąt ag Mąpąąet radap diarakteryslyk:
Katona charakterystyk wyjkaowydi
dła fi * const. Bg » caeat (Rys. 3 A)
^haa ‘hnlwtyi^i edhatynmi paąda larmąrrgm
fRyS. 18)
Ailr*cMt.hr