mosfet1 str29

elektroityczny, impulsowy min. 10mF

1.    L1 ma mieć wysokie Q (dobroć), wartość od ~0,5 do ~2 mH na rdzeniu ferrytowym, na żelaznym może być więcej, np. 5 dO 20 mH.

2.    C6 i R1 trzeba dobrać do L1 tak, aby na ładowanym akumulatorze był najwyższy impuls w czasie działania układu, patrząc na oscyloskop należy zmieniać długość impulsu regulując R1.

C6 - częstotliwość impulsów, R1 - czas trwania impulsu

3.    D3 - od jej szybkości zależy skuteczność działania, im szybsza, tym skuteczniej układ odsiarcza i ładuje przykłady: RURP820C, UF600D, D7V1500M.

4.    Q (FET albo IGBT) ma być odporny na wysokie napięcie i duże impulsy prądowe, przykłady: FGA25N120ANT, IRFP250N, SGP10N60, G4PH30K, dobrać go tak, aby impuls na akumulatorze ładowanym miał najniższy czas narastania.