PIC24

64

ładunku przestrzennego obu złącz, powodując zmniejszenie czynnego przekroju kanału, co oznacza zwiększenie rezystancji kanału, a tym samym zmniejszenie prądu wyjściowego.

Rys. 2.17. Charakterystyki statyczne tranzystora potowego Na rys. 2.17 przedstawiono przykładową rodzinę charakterystyk statycznych tranzystora polowcgo (złączowego).

Zmieniając rezystancję kanału za pośrednictwem napięcia bramki UOS. można sterować prądem ISD. przy czym sterowanie jest właściwie bezprądowc (złącze p — n bramka -konni spolaryzowane zaporowo, stąd potnijalny właściwie prąd wsteczny). Fakt ten decyduje o bardzo dużej wartości rezystancji wejściowej tranzystora unipolarnego typu złączowego, tj. rzędu od 10⁶ do 10^łl fl.

5-2- Tranzystor unipolarny z izolowaną bramką MOS-jFET

Znacznie większą rezystancją wejściową mt tranzystory złączowe, nawet do 10*6 O. charakteryzują się tranzystory połowę z izolowana elektrodą sterującą (izolowaną bramką), gdzie bramka oddzielona jest od półprzewodząccgo podłoża izolacyjną warstwą tlenkową. Sedno z. rozwiązań tego typu tranzystorów (MOS - PET) przedstawia rys. 2-18.

Podłoże krzemowe o przewodnictwie typu p. zawiera dwu obszary typu n. które wraz z odprowadzeniami S, D stanowią odpowiednio źródło i ujście. Metalowa elektroda sterująca O (bramko) wraz z podłożem (p.) i rozdzielającą warstwa izolacyjną St02 tworzą rodzaj kondensatora. Jeżeli więc zostanie on spolaryzowany napięciem sterującym w taki sposób, że na elektrodzie G zgromadzi się ładunek dodatni, to w górnej warstwie podłoża powstanie kanał umożliwiający przepływ prądu elektronowego ze źródła S do ujścia (drenu) D. Typ tranzystora .jtormalnie wyłączony"- tzn. nic przewodzący prądu przy braku napięcia sterującego (rys- 2.1 Sm. Spotyka się także tranzystory tzw. .jiormalnie włączone" - znaczny przepływ prądu przy braku napięcia sterującego (iysJŁI8b). Wyłączenie tego typu tranzystora uzyskuje się ujemną polaryzacją bramki, co powoduje zmniejszenie przekroju czynnego kanału, a tym samym wzrost jego rezystancji.