skany016

Reaktancja diody związana jest ze zmianami ładunku obszaru ładunku przestrzennego i ładunku nośników mniejszościowych w bazie diody. Na jej wielkość składają się; pojemność złączowa C, oraz pojemność dyfuzyjna (\/. W złączu p-n spolaryzowanym przepustowo (jest wielkością dominującą, i wynosi

(3.4)

albo (3.4a) gdzie r_B - czas przelotu nośników przez bazę diody.

W złączu metal-półprzewodnik (m-s) nie ma nośników mniejszościowych, zatem o jego reaktancji decyduje tylko pojemność złączowa C_P

Elementarna analiza zachowania się nośników mniejszościowych w diodzie dyfuzyjnej p^ł-n o długiej n-bazie pozwala przedstawić admitancję diody w postaci [ ]

(3.5)

gdzie: A- przekrój diody, D_p - współczynnik dyfuzji dziur, n, - koncentracja nośników samoistnych, L_p - średnia droga dyfuzji dziur i t_p - średni czas życia dziur jako nośników mniejszościowych w bazie oraz Nd - koncentracja donorów.

Dla małych pulsacji, gdy coz_p«\ z powyższej zależności mamy

s_d +j^(c_d+c_J)

gdzie: g_cr-l/r_d=- liv'U_r - jest konduktancją diody, zaś C_d - pojemnością dyfuzyjną, wynoszącą 21 !_r 2

Natomiast dla dużych pulsacji, gdy mt., ■ 1, admitancja (3 .4) przyjmuje postać

(3.7)