skany047

8

Drugim ważnym warunkiem stabilności układu pomiarowego jest wyeliminowanie generacji, które nie wystąpią, gdy indukcyjność całkowita układu wraz z diodą będzie bardzo mała - zgodnie z kryterium (5.22). W przeciwnym przypadku w układzie pojawią się pasożytnicze drgania zniekształcające charakterystykę prądowo-napięciową. Ostatni warunek i relację (5.22) można sprowadzić do jednej nierówności określającej dopuszczalne parametry układu pomiarowego:

(5.26)

5.4. Badania diody tunelowej

Diodę tunelową badamy na specjalnym module TMT, którego płytę czołową przedstawia rys.5.9. Dioda zasilana jest z przetwornika napięcia sinusoidalnego na falę prostokątną o małej impedancji w pobliżu przejścia przez zero. W tym układzie pomiarowym powyższe warunki stabilności są w miarę spełnione. Badaną diodę włączamy zgodnie z kluczem na złączce, który powinien wchodzić w otwór w płytce czołowej modułu TMT, bowiem diodę łatwo jest zniszczyć przy niewłaściwej polaryzacji.

Podczas badań należy wykonać następujące czynności:

1. Zaobserwować na ekranie oscyloskopu typowy przebieg charakterystyki diody tunelowej - zauważyć parametry wejściowego sygnału sterującego.

2. Wyznaczyć charakterystyczne punkty na krzywej i napisać zależność w postaci ogólnej (5.17).

-12V

3. Na podstawie wartości napięć i prądów określić rodzaj półprzewodnika diody.

1

4. Wyznaczyć wartość rezystancji r_U!N.

Rys.5.9. Płyta czołowa modułu do badań diod tunelowych -wzmocnienia: A „=3,75 V/V, A,-12,12 A W.

5. Sporządzić i zbadać układ oscylatora z badaną diodą tunelową wg rys.5.10.

O

o

o

Rys. 5.10 . Układ samowzbudzającego się oscylatora na diodzie radzieckiej typu AU202K.

Rys.5.11. Układ do obserwacji drgań generowanych przez diodę tunelową.

6. Zmontować układ według rys.5.11. Na potencjometrze ustawić taką wartość rezystancji, aby na oscyloskopie pojawiła się szeroka linia wskazująca na pojawienie się oscylacji. Na