P1030357

P1030357



294 M.Polowczyk. E.KIugmnnn - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE

Rys. 11


- dla układu z rys.l Ib:

d| • Idc = Ig2* gdzie Ijf = I32 + Ie2 ~    n^‘

Stąd ct| = lg2 / (Ig] Ir? )= 0,75 oraz Pj 3.

6.10. Korzystając z wzoru (6.36) przy fCB0 « Ję, otrzymujemy Ir + cuiTp

URr«VxIn— ; - — «413 inV 00 T "IcBO

gdzie: Ig = -lc - IB = -11 mA,

ICBq = Is - aN j «■ 0,1 nA - patrz wzór (6.39),

Pm    Pi

Następnie, korzystając z wzoru (6.37) przy |IEBq| k< I lElłolr/ymujemy In + Ct| • Ir

Unp - VT In -    475 mV

"JEB0

gdzie: Ifbo = Is f— " ai ] “ 0»2* patrz wzór (6.40).

\f* i

Urg

Stąd: Ucn - Ł/bc ~ 62 mV, talu, - —I    * 6 Q - patrz wzór (6.18).

'C I sal

6.11. Określenie i sposób pomiaru prądów zerowych wynika z rys. 12 i rys. 13:

Rys. 12

Rys. 13


IEBo - jest prądem obwodu emiterowego z rys. 13 przy polaryzacji zaporowej złącza cmiter-baza i odłączonym kolektorze.

Icbo " 'je*1 prądem obwodu kolektorowego z rys. 12 przy polaryzacji zaporowej złącza kolcktor-baza i przy odłączonym emiterze.

Związek pomiędzy tymi prądami można wyprowadzić z wzorów (6.39) i (6.40). Ma al

on postać Iebo-Icbo ”

°N

6.12.    Pomijając prąd zerowy, otrzymamy 0« Ici^Bl= 299, gdzie 1B| = ICl -IEl= -2 pA, zatem 1^= 01132« -2,392 mA oraz 1(3= - 4,485 mA. y

6.13.    Zgodnie ze wzorem (6.49a), przy założeniu, że Is * e vt ■ IB • pn , otrzymamy:

_ Pn!b ( 1 + ^CEI ^EN) • Stąd AIC = PnIb ( Uq2.- Uęgj) / Ugjj oraz a) AIC = 100 pA, b) AIC = 300 pA.

Rys. 14


6.14.    Moc admisyjna jest powiązana z temperaturą otoczenia zależnością:

P«dm = ( Tjm«x '^a ) I z

której wynikają wartości P.dm [mW]: a) 288, b) 262, c) 214, d) 167, odpowiednio przy Ta l°Cj: a) 25, b) 40, c) 60, d) 80 oraz wykres przedstawiony na rys. 14.

6.15.    Ponieważ moc admisyjna jest funkcją temperatury otoczenia, więc maksymalny dopuszczalny prąd kolektora:

ICmax= f(Uc£.T.) -P.dnAał- Stąd dla T.=80°C,

P adm = Crjm«x'Ts) I Rihj-a * 167 mV*' °raz U^-IOY otrzymujemy

6.16.    Wiadomo, że transkonduktancja g,,, jes* proporcjonalna do składowej stałej prądu kolektora (wzór (6.93)): gm* IC/VT; Vj=: kT/q oraz T* T, + P,01R,h:.„

Pici = IcuCE= 100mW, więcT= 100°C= 373K oraz V-,* 32ntV. Zatem: gm= 312,5 mA/V,    gra/PN= 3.1 mA/V patrz wzór (6.90).

6.17.    Korzystając z wzorów: gm=?ę/Vx> 7'**P»+^c^CERiki obliczamy:

a)    dla Tal= 25°C, Ic,=10 mA, Ucm=10V, gm,«=335 mA/V, VTt«lc,^,l*29,9 mV, T,- T0 (YtjA^hj), T0= 300K, VTO- 25,8mV, T|« 348K- 75°C:

R,h= (TrT„)/IC|Ugei= 0.5°C/mW,

b)    dla T^SO0^ I^^IrnA, Ucij2*5V:

T2-T,2+laUCE2Rlh-3254K; Vn. VTO (Tyr0>. 28mV; gm2- la^'12*35'7 mA/v<


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
P1030332 246 M.Polowczyk, E.Klugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE Rys. 6.28. Malosygnalowc schematy
P1030352 284 M.Polowczyk. E.KJugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE a) b) Rys.658. Typowa zależność
20022 P1030336 254 M.Polowczyk. EKIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE Rys. 633. Przykłady struktur
P1030352 284 M.Polowczyk. E.KJugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE a) b) Rys.658. Typowa zależność
15914 P1030342 266 M.Polowczyk, E.KIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE Rys. 6.40. Zależność pojemno
76883 P1030328 238 M.Polowczyk. E.Klugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE Rys. 6.23. Ładunkowy schemat
P1030317 216 M.Polowczylc, E.Klugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE Rys. 62. Symbole tranzystorów n-p
84913 P1030343 266 M.Polowczyk. E.Kiugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE UGS: Uos" Rys. 6.40. Za
P1030331 244 M.Polowczyk. E KIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE W schematach zastępczych tranzysto

więcej podobnych podstron