P1030360

300 M.Polowczyk, E.KJugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE

1) BU_P²= 8mA, 2) BU_P= -2mS. Stąd U_p= -4V, B = 0,5 mA/V². Przy tym spełnione są nierówności U_GS > Up oraz U_DS > U_GS-Up, potwierdzające to, że tranzystor znajduje się w obszarze nasycenia.

6.35.    Obliczając moc całkowitą wydzielaną w tranzystorze, ^Ptot= *D^DS- 100

znajdujemy temperaturę kanału, T= T_a +    gdzie:

^Rth= (T_jmax-T_a)/P_adm= 347 °C/W, zaś T_a= 25°C, więc T= 60°C.

6.36.    Z danych punktu c) i a) wynika, że I_DS5=10mA. Z danych punktu b), zakładając, że I_D=I_Dss("2-U_Ds/Up) * (^ds^p) ^{dIa u}gs⁼ 0, otrzymamy dwa rozwiązania: Upi=-5V i Up2=-l,25V, przy czym drugie rozwiązanie jest sprzeczne z danymi punktu b), zatem Up=-5V oraz B=2I_DSS/U_P =0,8mA/V . Niesprzecznym rozwiązaniem dla punktów a) i c) jest: g_m= - BUp= 4 mA/V. Dla punktu pracy b), leżącego w obszarze nienasycenia, otrzymamy g_m= BU_DS= 1,6 mA/V.

6.37.    a) Z warunków zadania wynika, że U_p=-5V, a Idss⁼10 mA. Wiemy również, że w obszarze zaciśnięcia kanału U_DS > U_GS-U_p i I_D= I_DSS (l-U_GSAJp; , a w obszarze omowym U_DS ś U_Gg-U_p i

I_D = BU_DS(U_GS-U_p-U_DS/2) = ( 2I_dss / U_P²)(U_GS -U_p - U_DS /2 )U_DS.

-    Dla U_GS = 0 i U_DS = 2V mamy zakres nienasycenia, bo U_DS < U_GS - Up,

otrzymamy więc I_D = 6,4 mA..

-    Biorąc powyższe pod uwagę otrzymamy charakterystyki jak na rys. 19.

b) Tranzystor posiada kanał typu n, ponieważ złącze bramka-kanał jest polaryzowane zaporowo ujemnym napięciem U_GS.

Rys. 19