skanowanie0008 (118)

Imię i nazwisko

nr indeksu

Egzamin z Elementów Elektronicznych 2010.02.04

Zadanie 8 (I6p. maks.)

UWAGA - Dla każdego z pytań poniżej zakreślić dokoła WSZYSTKIE możliwe poprawne odpowiedzi. Jeśli konieczna jest korekta odpowiedzi, to nie kreślić, ale na prawym marginesie pytania wpisać litery odpowiadające poprawnym odpowiedziom.

Zad. 8.1. Arsenek galu ma większą wartość przerwy energetycznej niż krzem, który z kolei ma większą wartość przerwy niż german. Z którego półprzewodnika należy wykonać diodę aby otrzymać najniższe napięcie w kierunku przewodzenia przy ustalonej gęstości prądu?

A. z GaAs;    d> Ge;    C. z Si

Zad. 8.2. Oświetlenie diody spolaryzowanej w kierunku zaporowym wywołuje:

A. zmniejszenie spadku napięcia na diodzie; B. wzrost spadku napięcia na diodzie; (cT^yzrost bezwzględnej wartości prądu diody;

Zad. 8.3. W tranzystorze MOS z kanałem typu p pracującym w obszarze nasycenia przy dużych bezwzględnych wartościach prądu drenu i ustalonych Vdsćc i Vgsóc wzrost temperatury powoduje

(AOzmniejszenie \Iodc\, B. zwiększenie ruchliwości elektronów, C. zwiększenie \Iodc\

Zad. 8.4. Ze wzrostem szerokości kanału wartość częstotliwości granicznej fr tranzystora MOS z kanałem typu n pracującego w obszarze nasycenia:

A. maleje;    B. wzrasta;    (C^ie ulega zmianie.

Zad. 8.5. Częstotliwość graniczna fr tranzystora MOS z kanałem typu p to wartość przy której:

A^ioduł wzmocnienia prądowego jest równy jedności;    B. moduł wzmocnienia

prądowego maleje w stosunku 1: V 2 do wartości dla małych częstotliwości;    C.

moduł wzmocnienia napięciowego maleje w stosunku 1: V 2 do wartości dla małych częstotliwości.

Zad. 8.6. Dla tranzystora MOS z kanałem typu p pracującym w obszarze nasycenia 'A^%nax zależy od wartości rezystancji szeregowej bramki;    | B.y^ > fmax\

'mmmm

Zad. 8.7. Dla tranzystora bipolarnego pnp pracującego w obszarze aktywnym normalnym przy wzroście wartości |/^_c|, dla ustalonej wartości VcEdc , wartość transkonduktancji (Ayrośnie ;    B. maleje;    C. nie zmienia się znacznie.

C. nie zmienia się znacznie.

Zad. 8.8. Dla tranzystora bipolarnego npn pracującego w obszarze aktywnym normalnym przy wzroście temperatury, dla ustalonej wartości Icdc , wartość przewodności małosygnałowej baza-erniter A. rośnie;    (Bjtnaleje;