skrypt114

skrypt114



w

100 %

Rys. 6.6. Rezystywność powierzchniowa dielektryków stałych w funkcji wilgotności: l - dielektryk niepolarny, 2 - dielektryk polarny

Tablica 6

Rezystywność skrośna wybranych dielektryków

Materiał

Pv

rncmi

Kauczuk nitrylowy

10'

Laminat fenolowy

10"

MicaLcx

1012

Papier elektrotechniczny

10‘3

Polichlorek winylu

10lJ

Szkło

U)* + I0,s

Porcelana

10" + 10w

Polietylen

10“

2.2.4. Układy do pomiaru rezysty wności

Metody, które stosujemy do pomiaru rezystywnośei skrośnej i powier niowej zależą od badanego dielektryku (spodziewanej wartości rezystywno oraz od mierników prądu, którymi dysponujemy. Rezystywność skrośna nov. czesnych polimerów sięga wartości pv = 10‘ ftm. Zakresy prądowe miernik stosowanych w układach do pomiaru rezystywnośei, mieszczą się w granie od 10 10 do 10 ’ A. Do pomiaru prądów od 10'10 do 10'ls A stosowane b szeroko galwanometry lustcrkowc. Zasada działania takich mierników jest t: sama jak amperomierzy magnetoelektrycznych. Technologia wykonania mi nika, pozwala na pomiar małych prądów w zakresie pikoamperów.

F.lcktromctry lampowe są miernikami prądu opartymi na wzmacniacz; napięcia stałego. Ich nazwa bierze się stąd, że w stopniach wejściowych wy rzystują lampy elcktromelrycznc o bardzo dużej rezystancji wejściowej -1 LI. Zakres prądowy tych mierników zawiera się wf granicach od 10" do 10 ;f:


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Rys.14. Powierzchnie rozwiązań wagowej funkcji kryterialnej [1] Rys. 15. Zakres stosowalności dla
Badania materiałów dielektrycznych 164 Układy z rys.i2.b można również zastosować do pomiarów rezys
Rezystywność powierzchniowa, odnosząca się tyiko do dielektryków stałych, zależy bardzo silnie od ic
skrypt066 68 Rys. 4.8. Zależność e" i tg5 dla dielektryku z jednym czasem relaksacji Rys. 4.9.
skrypt082 84 Rys. 4.30. Metody badania dielektryków w swobodnej przestrzeni: a) metoda przep czania,
sena O Rys. 39. Powierzchnia właściwa zredukowanych katalizatorów serii O i K Jako funkcja zawartośc
Img00204 208 Rezystywność skrośna dielektryków ciekłych oraz dielektryków stałych zależy silnie od s
skrypt009 12 Rys. 1.3. Lewostronny obszar krytyczny Q Wówczas hipoteza zerowa przyjmuje postać: H0:

więcej podobnych podstron