53597 skanowanie0007 (25)

4. WZMACNIACZE MAŁYCH SYGNAŁÓW

Jeśli nic podano inaczej należy przyjąć tj= 1, U_T= 25mV, hn_e⁼ 0, /i22c“    ■ 0, r*= co.

4.1

B-15V

i

r|Rc-5 kO

Zastosowany w układzie tranzystor posiada parametry |/oss| = 5 mA, Up = 4 V. Oblicz wzmocnienie na środku pasma k^, oraz rezystancję wyjściową R^. Odpowiedz na pytania:

-    jak nazywa się układ polaryzacji tranzystora?

-    w jakim zakresie pracy znajduje się tranzystor?

-    jaki to wzmacniacz?

Wiadomo, że zastosowany w układzie tranzystor ma napięcie odcięcia Up = -4 V, oraz że napięcie na pojemności Cs wynosi Us - 3 V. Oblicz transkonduktancję g_m w punkcie pracy, wzmocnienie skuteczne na środku pasma o, oraz rezystancję wyjściową R^y.

Oblicz wzmocnienie skuteczne i rezystancję wejściową wzmacniacza. Przyjmij następujące wartości parametrów małosygnałowych tranzystora: r_Vt = 1 kil, g„= 160 mS, (gce ⁼ 0), oraz że rezystancja wewnętrzna źródła sygnału sterującego wzmacniacz wynosi R_g = 600 £2. Oblicz napięcie stałe na pojemności C₂. Oblicz współczynniki wzmocnienia prądowego tranzystora: statyczny f3 i dynamiczny h₂i_e-

/“w.

Itli-l kil

U “CK 0,5 mA

-E--15Y

Rozpoznaj wzmacniacz. Oblicz «wy(0 (w przybliżeniu) jeśli:

(a)    M_we(f) = lOsin(arf) mV,

(b)    wzmacniacz jest sterowany sygnałem ze źródła napięciowego e_g{f) = lOsin(o)t) mV o rezystancji wewnętrznej R_g = 500 n.

Obliczenia przeprowadź dla średnich częstotliwości.

4.5

Oblicz w przybliżeniu    jeśli Mwe(0 ~ 10sin(27ę/i) mV.

Obliczenia przeprowadź dla średnich częstotliwości.

Zmierzono napięcie stałe t/j ■ 1 V na rezystorze R_B. Oblicz wzmocnienie skuteczne kua, jeśli wtórnik emiterowy jest obciążony rezystancją R„-50 O 1 sterowany sygnałem ze źródła napięciowego o tr/ystancjl wewnętrznej R_t ■ 500 £2. Oblicz rezystuncję wyjściowa ft„, wlóinlka

4.7

Oblicz «wy(0» jeśli wzmacniacz dwustopniowy jest sterowany sygnałem e^t) = lOsincot mV ze źródła napięciowego o rezystancji wewnętrznej R_g = 500 O. Napięcie stałe na rezystorze Rb wynosi Ug = 1 V. Obliczenia przeprowadź dla średnich częstotliwości.

Wskazówka: Rezystancja wejściowa II stopnia jest jednocześnie obciążeniem I stopnia. Oblicz tą rezystancję i skorzystaj z wyników zadań 4.4 i 4.6.

Oblicz wzmocnienie kuo oraz rezystancje wejściową R_we i wyjściową R^ układu, jeśli znana jest charakterystyka przejściowa tranzystora MOS, a napięcie Early’ego tranzystora bipolarnego 17^=100 V. Obliczenia przeprowadź dla średnich częstotliwości.

Wskazówka: patrz jedno z zadań rozdziału 2.

Oblicz wzmocnienie kuo oraz rezystancje: wejściową R_we i wyjściową R^ układu, jeśli znane są parametry tranzystora MOS oraz małosygnałowy współczynnik wzmocnienia prądowego h₂\. Obliczenia przeprowadź dla średnich częstotliwości.

Zmierzono napięcie stałe na pojemności C₂, Ua= 11 V. Oblicz wzmocnienie kuo oraz rezystancje: wejściową R_we i wyjściową R^ układu, jeśli znane jest napięcie progowe tranzystora MOS, U_P = -8 V. Obliczenia przeprowadź dla średnich częstotliwości zakładając, że /■* = oo!

Zmierzono napięcie stałe na pojemności Ci, Uar 10 V. Oblicz wzmocnienie k_uQ oraz rezystancje wejściową R_we i wyjściową R^ układu, jeśli znane jest napięcie progowe tranzystora MOS, U_P = -10 V. Obliczenia przeprowadź dla średnich częstotliwości zakładając, że r* = oo!

Oblicz wzmocnienie w zakresie średnich częstotliwości, jeśli dla tranzystora J-FET Jdss = 9 mA, U_P = -4,65 V. Rozważ przypadki, gdy rezystancja dynamiczna diody Zenera wyno-si:(a)r_z=0,(b)r_z=10a

,u> ni

/W . 1

17