61934 PIC 0442

Spiekanie

nanometrycznych pro.zków

I ^Po1*^ ⁰¹¹⁰ na wygrzewaniu proszku w temperaturze, w której zachodzi tworzenie i rozbudowa trwałych złączy (zazwyczaj krystalicznych) między stykającymi się cząstkami materiału. Podczas spiekania nie jest przekraczana I temperatura topnienia przeważającego lub jednego składnika, a dominującymi

I mechanizmami transportu masy w spiekanym zbiorze cząstek są różne rodzaje dyfuzji w stanie stałym.    ¹    ' .

Proces zachodzi w temperaturze niższej od temperatury topienia I podstawowego składnika proszku (0.5-0.8 temperatury topienia).

I Spiekanie jest procesem samorzutnym, gdyż wiąże się z obniżeniem nadmiarowej energii powierzchniowej układu tj. sumaryczna energia powierzchni swobodnej proszku jest większa niż energii powstających w polikrysztale granic między ziarnowych.

Swobodne Pod ciśnieniem