ela3

ela3



Przypadek nieodwracalnej reakcji o bardzo dużej szybkości c.d.

Szybkość fizycznego cez reakcji! unikania skfelnjka A w fazie ciekłej od zwierciadła Z do płaszczyzny R opisujemy równaniem:

Na=Pax[Xa=-Xa r) dla XAr = 0

I Aflsofpsfe z reakcja chemiczną -    i

; PYTANIE ~ Jakie trzeba stworzyć warunki procesu aby zanikł wór wnikania ma»^ w fazie ciekłej w f jgorggji?

- PaX ^Az :


D_


■X.


X =^4-xAz

na

Szybkość fizycznego    B w w fazie ciekłej od płaszczyzny C do

płaszczyzny R opisujemy równaniem:

= PBx [XBx - XBr) dla XBr 0 oraz XBx = XB0

N',=p,xXM=—X,

x2

x -°“X ^

x2 ~ ~Xp~ A 50

Nn

Warunki takie najskuteczniej osiągamy, gdy składnik absorbowany wchodzi w reakcję absorbentem lub składnikiem roztworu ciekiego.

Reakcja w większości przypadków podwyższa szybkość absorpcji i zapiszemy tę szybko: poprawionym równaniem Newtona na szybkość wnikania w fazie ciekłej:

K =Pxfc, ~XA2)= Pxe ta,    )

gdzie: E ymótemmlk orzTSBiaszsraa arocesn wntkam-i pod wpływem reakcji -    1.

E - zależy od typu i rzędu reakcji, stałej szybkości reakcji, wapryicrrntiitriYjy pyiuzii substancji reagujących ze sobą w fazie ciekłej oraz od stężenia reagentów. Wyprowadzenie E - poniżej Szczegółowe przypadki chernisorpcii można podzielić według rozmaitych kryteriów:

(*) odwracalności lub nieodwracalności reakcji; (*) przebiegu reakcji w rdzeniu cieczy lub blisko powierzchni międzyfazowej; (*) szybkości reakcji.

ABSORPCJA




Przypadek nieodwracalnej reakcji o bardzo dużej szybkości c.d.

Przypadek nieodwracalnej reakcji o bardzo dużej szybkości j

Dla ustalonego ruchu masy vNA =NB , gdzie v- współczynnik stechiometryczny reakcji,

a także dla: x=xt +x2 = ^4- XA: + -^4- XBQ Grubości warstw x, orazx, oblicza

yXA    się z r-ń przedstawionych na poprzednim


Równanie na szybkość dyfuzji + reakcja dla


slajdzie.

°Bi_Xl

xAz

NA = QlLXAJ 1+ "Bi "B0 I-

A -    1 vDa, X


=pAXxA\\+ °Si

yDAi XA2


Przypomnienie! Równanie na szybkość


tzn:


dyfuzji dla A


K'a = ^LXAz =fi/lxXAz x


E=\ 1 +


vD,u X„


Przypadek został opracowany przez Hattę przy założeniu modelu przedstawionego na Rys. Bierze się pod uwagę zastępczą warstwę graniczną w fazie ciekłej C i rozpatruje w niej dyfuzję substratów oraz produktu reakcji. W miejscu geometrycznym spotkania cząstek substratów winna nastąpić reakcja według założenia. Miejsce to nazywamy płaszczyzną reakcji R.



ta =/?; ta,    -xa1)=!3x




ABSORPCJA


CHEłfliSDRP&JA


ABSORPCJA

Przypadek nieodwracalnej reakcji o bardzo dużej szybkości c.d. :

Przy stałości wartości kinematycznych współczynników dyfuzji - współczynnik przyspieszenia procesu wnikania pod wptywem reakcji • E jest funkcją stężenia A'so. Równocześnie ze wzrostem wartości tego stężenia płaszczyzna R przesuwa się w lewo...


ZR    C


ZR    C


Miarą nieodwracalności reakcji jest spadek na płaszczyźnie R stężenia składnika absorbowanego do zera X4r = 0. W przestrzeni od zwierciadła Z do płaszczyzny R stężenie składnika A spada do zera począwszy od XAz - stężenia warunkowanego dopływem masy tego składnika z fazy gazowej, a odpowiadającego równowagowemu stężeniu składnika A w gazie Y*Az.

Analogicznie wygląda przebieg zmiany stężenia reagenta B w przestrzeni od płaszczyzny C, oznaczającej koniec warstwy przyściennej, do płaszczyzny R. Zależnie od wartości stężenia składników A oraz B, a także od ich różnych szybkości dyfuzji zależy położenie płaszczyzny R: Na powyższej płaszczyźnie powstaje produkt reakcji D, który dyfunduje odwrotnie w kierunku di rdzenia cieczy ze spadkiem stężenia od XDr do XDx. Płaszczyzna R dzieli warstwę przyścienna o grubości x. na dwie warstwy o grubościach i x2.

1

Przypadek nieodwracalnej reakcji o bardzo dużej szybkości c.d. j


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
skanuj0018 (263) 40 Grafika menedżerska i prezentacyjna jak w tym przypadku, jest ich bardzo dużo: .
Image597 a W przypadku konieczności stosowania bardzo długich linii transmisyjnych, można stosować p
IV-12 §3.1. W przypadku macierzy o dostatecznie regularnej budowie można wykorzystać rozwinięcie
PICT0097 (7) napięcie 41 Ulemt półprzewodnikowy 1GB I wymaga do załączenia: (a)    b
ScanImage006 (14) WPROWADZENIE Rysunek 1.2 Przykład analizy bardzo dużej liczby połączeń Obiekty z p
page0433 425Róża urywania maro w, ścian i altan używają. Róże te ropną bardzo bujnie i szybko, spraw
IMAG0160 W tym przypadku korzystamy tylko z bardzo ograniczonego wycinka nieba; okno staje się wtórn
golf3 Informacje w skrócie Siedzenie przednie.......... 8 Zakresy szybkości..... Światła
IMG60 (3) > Wysoka moc szczytowa impulsu (MW) »> Duża dawka energii W impulsie i350 mJ) Dosta
B. Model kinetyczny nieodwracalnej reakcji enzymatycznej wg Michaelisa-Menten Założenia
Metoda chlorowania: Wsad - rutyl lub żużel tytanowy Ti02 + 202 = TiCl4 + 02 - bardzo mała szybkość
5 (1868) 5 23 Elemt półprzewodników) IGBT wymaga do załączenia: (a)    bardzo dużej

więcej podobnych podstron