Klasa	Nazwisko i Imię	Nr w dzienniku	TECHNIKUM ŁĄCZNOŚCI K R A K Ó W
3 Ti		25	Pracownia Elektroniczna
Nr ćwiczenia	Temat ćwiczenia	Data	Ocena	Podpis
6	Badanie charakterystyk tranzystora bipolarnego.	2 .10 2 0 0 0

1. Narysować i opisać układ do zdejmowania charakterystyk statycznych tranzystora w układzie OE.

2. Zdjąć następujące rodziny charakterystyk:

• I_C=f(U_CE) I_B=const

• I_B=f(U_BE) U_CE=const

• I_C=f(I_B) U_CE=const

Wyniki pomiarów zestawić w tabelach

Na podstawie pomiarów wykreślić ch-ki.

Wyznaczyć współczynnik wzmocnienia prądowego.

Wyznaczyć na podstawie charakterystyk współczynniki h₂₂; h_21E; h_11E; h_{12E .}

Podać różnice w pracy tranzystora w układach OE; OB.; OC.

Podać własne wnioski.

Podać spis przyrządów.

Układ pomiarowy:

Spis przyrządów

WM 4B

YF 3503

YF 1075

Model do badania tranzystora BIPOLARNEGO

Pomiary:

Charakterystyka wyjściowa Ic = f ( Uce ) przy Ib = const

		Ic [ mA ]
Uce	V	0,02	0,04	0,8	0,1	0,15	0,2	0,3	1	2,5	5
Ib = 150	mA	1	3	8	12	17	19	20	21	21	22
Ib = 300	mA	3	7	17	23	34	40	45	47	48	50

Charakterystyka wejściowa Ib = f ( Ube ) przy Uce = const

		Ube [ V ]
Ib	mA	140	150	160	180	200	220	240	260	280	300
Uce = 0,5	V	0,433	0,406	0,391	0,383	0,3828	0,375	0,369	0,364	0,363	0,356
Uce = 3	V	0,31	0,3	0,286	0,283	0,278	0,75	0,269	0,266	0,263	0,26

Charakterystyka przejściowa Ic = f ( Ib ) przy Uce = const

		Ic [ mA ]
Ib	mA	140	150	160	180	200	220	240	260	280	300
Uce = 0,5	V	23	24	25	26,5	29	32,5	36	39	43	46
Uce = 3	V	21	22	25	27,5	31	35	39	42	45	51

Różnice pomiędzy układami pracy tranzystorów:

1. Układ OE jest jednym z najczęściej używanych układów pracy tranzystorów bipolarnych ponieważ charakteryzuje się dużym wzmocnieniem prądowym, napięciowym oraz mocy. Wyróżnia się również tym ze napięcie na jego wyjściu jest obrócone w fazie o kąt 180 ^o .

2. Układ OB charakteryzuje się dużą rezystancją wejściową i mała rezystancją wejściową i posiada również wzmocnienie prądowe bliskie jedności. Tranzystory w układach OB pracują przy bardzo dużych częstotliwościach niekiedy nawet rzędu kilku GHz.

3. Układ OC posiada dużą rezystancje wejściową w związku, z czym jest stosowany we wzmacniaczach małej częstotliwości. Ma również duże wzmocnienie prądowe.

Wnioski:

1. Ćwiczenie miało na celu sprawdzenie znajomości rzeczywistych charakterystyk tranzystora Bipolarnego czyli dobrania podczas pomiarów odpowiednich punktów dla których wykonywano pomiary tak aby na ich podstawie można było wykreślić charakterystyki tranzystora.

2. Dla charakterystyki wyjściowej Ic=f(Uce) punkty pomiarowe powinny być zagęszczone na początku a powyżej napięcia nasycenia wystarczy że będzie ich tylko kilka ponieważ nie ma tam już zbyt dużych zmian prądu Ic.

3. Dla charakterystyki wejściowej Ib=f(Ube)i przejściowej I(c=fIb) punkty rozmieszczamy równomiernie (liniowo)

4. Charakterystyki przejściowe powinny być liniami prostymi nachylonymi pod kątem b który jest równy wartości współczynnika wzmocnienia prądowego podczas ćwiczenia wystąpiły jednak błędy w związku z czym pojawiły się pewne odchyły od charakterystyki idealnej.

5. Charakterystyki wejściowe są przesunięte względem siebie . Jest to ściśle związane z oddziaływaniem wstecznym w tranzystorze .

6. Charakterystyki wyjściowe pokazują iż po przekroczeniu wartości napięcia nasycenia ( U_{ce sat} ) wartość współczynnika wzmocnienia prądowego maleje i jest znikomo mała. Taki stan pracy tranzystora nazywamy stanem nasycenia .

7. Przesunięcie względem siebie charakterystyk wyjściowych związane jest z zależnościami jakie występują między prądem kolektora a prądem emitera

8. Tranzystor bipolarny jest elementem sterowanym napięciowo U_CEi służy no do wzmacniania prądu .

Tabela przedstawia jak są spolaryzowane złącza podczas różnych stanów pracy tranzystora

Stan tranzystora	Kierunki polaryzacji złączy tranzystora
		Emiter - baza	Kolektor - baza
Zatkanie	Zaporowy	Zaporowy
Przewodzenie aktywne	Przewodzenia	Zaporowy
Nasycenie	Przewodzenia	Przewodzenia
Przewodzenie inwersyjne	Zaporowy	Przewodzenia

---