114 115

114

Owąran towuno wartości parametrów

V. on Lu zupownienia możliwości współpracy różnych układów scalonych,ujed-nullctuilu obliczeń obciążalności oraz uproszczenia ich testowania, producenci liw.Af.-mLuJą wartości niektórych parametrów, Wartości te powinny być z '.e]jo...,tno przez każdy egzemplarz w tzw, „najgorszym przypadku’*, tzn, przy najbardziej niekorzystnych warunkach pomiaru, w zakresie temperatur 0°C do 70° C oraz napleć zasilania v. zakresie 4,75 V do 5,25 V,

7‘ serii 74 gwarantowane są następujące wartości napięć:

^UIL max ^{= v}» ^{00 ozmłCza}» ^że napięcia nie większe od 0,8 V są traktowane przez wejście układu jako stan 0,

Ujh _min « 2,0 V, co oznacza, że napięcia niemniejsze od 2,0 V są traktowane przez wejścia układu jako stan 1*

U_0L mQY = 0,4 V dla Iq£ _mgj: = 16 mA**¹ , co oznacza, że napięcie wyjściowe w stanie 0 nie przekracza 0,4 V, o ile prąd wyjściowynle przekracza 16 mA •

Uqh _min » 2,4 V dla I_QH = 400^tA*^; , co oznacza, że napięcie wyjściowe w stanie 1 je^t nie niższe od 2,4 V, o ile pobierany prąd nie przekracza 400 p. A .

Na rys. 4,10 przedstawione są typowe charakterystyki przejściowe bramki NAND dla różnych temperatur pracy oraz obszary zabronione, wynikające z naniesienia gwarantowanych poziomów napięć.

Rys. 4,10, Charakterystyki przejściowe bramki RAND dla różnych temperatur otoczenia, z naniesionymi napięciami gwarantowanymi

Podstawiając gwarantowane wartości napięć do wzorów (4.1) otrzymujemy statyczny margines szumów, równy

0,4 V

^UN - ^UNL " ^UNH

Gwarantowane wartości prądów wejściowych wynoszą dla wersji standardowej

^#) Podawane tutaj prądy obciążenia dotyczą wyłącznie wersji standardowej.

dla Uj = 0,4 V

^IIL max ^{= 1}»⁶ **•

^XXH max *

dla Uj = 2,4 V

Zestawiając to z prądami wyjściowymi związanymi z gwarantowanymi wartościami napięć wyjściowych, otrzymujemy natychmiast gwarantowaną obciążalność wyjściową. Wynosi ona 10 dla obydwu stanów, gdyż

I

T

OH aax _ 400 u A IH max ~

10

oraz

*OL max _ 16 mA _ ^XTT, mar    "

Prąd zasilania zależy od stanu na wyjściu. Dla przykładu bramka NAND 7400 pobiera    ^ 3 mA i

IqCh ** 1 (średnio 2 mA, co daje statyczną moc rozpraszaną(Pg)®w jw 10 mW). W momencie przełączania występuje impuls prądu zasilania (rys. 4.11), spowodowany jednoczesnym przewodzeniem tranzystorów w stopniu wyjściowym. Zjawisko to jest jednym ze źródeł zakłóceń w układach TTL.

Rys. 4.11. Impuls prądu zasilania przy przełączaniu bramki 7400

4.1.2. Bramki w serii 74

Poniżej podamy wykaz funktorów produkowanych w serii 74 i wyjaśnimy pojawiające się przy tym nowe terminy*^ Nie wyróżnia on wersji układu i może się zdarzyć, że podany funktor jest produkowany tylko w jednej wersji. Wykaz ten ma zaznajomić Czytelnika jedynie z dostępnym asortymentem bramek i stanowić przewodnik po katalogach zawierających kompletne informacje •

Liczby przed typem bramki oznaczają ilość bramek w jednym układzie scalonym i ilość wejść bramki* np. 4x2 NAND oznacza cztery bramki NAND dwuwejściowe. Ponadto zastosowano następujące skrótowe oznaczenia:

TP -wyjście przeciwsobne (totem pole),

OC    - wyjście z otwartym obwodem kolektora (opon collector),

TS    - wyjście trójstanowe (TRI - STATE),

Bufor - bramka o podwyższonej obciążalności wyjściowej lub wyższym napięciu kolektora w stopniu OC.

Inwertor-y i wzmacniacze

6 x INYERT TP - 7404 OC - 7405

Bufor OC - 7406,7416 Bufor TS - 74366,74368

*)

Wykaz innych układów taj serii będzie zamieszczony w rozdziale 5.