186 187

186

a

m	III Cl ANIE					WWMNK AÓWN0U6K	IHOWANK	WJHEt SEJWJ1W
	A/S	Ni IMCItt		M	li
IcOTOW VNAINV	A A A i i			U U a » tt		A A s s	A A A A $	twj.IuTj...... 7M77 7MI7 7MC1 7AIU
A-MTOWI IIMAKN* tfwmum	i i S			ii a a		s A A	A	7iioi im 7AW1
KUM	A A A S s		i	u a a n n		A A i S	A A A A S	TkMjłlłJo nm 7AIK 11.ua 7W1S1
KKAM antowna	s i s	ł 1		ti a a		$ A A	A	łMH 7A1M 7MK
■ "Tł-to " STANÓW	A	ł		tt		- 1 *		7A91

Rys. 5.71. Liczniki w serii 74. Oznaczania: i - asynchroniczna, S - synchroniczne

5.10. PAMlęCI ZAPIS/ODCZYT

Są to pamięci 1 w których dowolna informacja mota być zapisywana lub odczytywana z jednakową łatwością i szybkością, Czas, jaki upływa od podania. adresu wybranej lokacji pamięci do chwili pojawienia się na wyjściu informacji przechowywanej pod tym adresem, nosi nazwę czasu dostępu t_A (Access time). Odczytywana informacja musi być stabilna przez czas t_R (Reąd time) wymagany przez układy korzystające z tej pamięci; wymaga to utrzymywania stabilnego adresu przez okres t_Rę zwany czasem cyklu czytania (Read Cycle time).

V celu zapisania informacji w pamięci należy podać adres, a po czasie Impuls zapisu o wymaganym minimalnym czasie trwania t^p (Wrlte Pulse time), podczas którego dane wejściowe muszą oczywiście być stabilne. Czas cyklu zapisu t_w<J (Write Cycle time) Jest więc sumą t_AR i t^jp - patrz rys. 5.72. (Powyższe dotyczy głównie tzw. pamięci statycznych. Cykle pamięci dynamicznych są bardziej złożone 1 nie będziemy ich tu omawiali.) Zazwyczaj t_{wc min} a t_{R(J Bln} = t_A, co sprawia, że czas dostępu jest najpowszechniej stosowanym, parametrem dynamicznym pamięci.

Najbardziej pożądanym rodzajem pamięci Jest taka, którdjt czas dostępu jest stały dla wszystkich adresów. Jest to tzw. pamięć o dostępnie swobodnym (Random Access Memory = RAU), w której nośnik informacji ma postać matrycy Jednobitowych“komórek pamięciowych ułożonych w wiersze i kolumny. Hazwa RAK stosowana Jeąt najczęściej zamiast określenia - pamięć zapls/od-czyt, choć nie Jest torpoprawne (ROM jest przecież także pamięcią o dostępnie swobodnym).

Rj3. 5«72. Wykrasy czasowe cyklu czytania 1 zapisu

Spośród różnych typów pamięci HAU, jak np. ferrytowa, cienkowarstwowa czy półprzewodnikowa, w układach cyfrowych ogólnego przeznaczenia stosuje się obecnie tylko te ostatnie 1 nimi tylko będziemy się zajmować. Pominiemy również pamięci masowe, jak dyski i kasety magnetyczne, ponieważ stanowią one odrębne gotowe urządzenia dołączane do układu cyfrowego 1 omawianie ich wybiega poza zakres tego skryptu.

Zależnie od sposobu realizacji półprzewodnikowych komórek pamięciowych, rozróżniamy pamięci statyczne i dynamiczne.

5.10.1. Pamięci statyczne RAM

Komórka pamięci statycznej jest prostym przerzutnikiem utworzonym z dwóch wzmacniaczy inwersyjnych. Schemat komórki pamięci bipolarnej przedstawiony Jest na rys. 5*73a. Komórka wybierana jest koincydencyjnie przez wymuszenie poziomu H w obu liniach adresowych i Stan komórki odczytywany Jest za pomocą dwu linii bitowych Bil|w stanie 1 przewodzi tranzystor w stanie 0 przewodzi Tg* Podczas odczytu, przy 3^ = Y_m = H, pojawia się prąd w tej linii bitowej, która połączona Jest z trzecim emiterem tranzystora aktualnie przewodzącego. Podczas zapisu, również przy Kjj = Y_m = H, należy wymusić B = L i 1 = H, jeżeli ma być zapisana 1, zaś B = H i I: Ii, jeżeli ma być zapisane O. Żądany stan zostaje zapamiętany z chwilą, gdy którakolwiek z linii adresowych przejdzie w stan Ł przejmując na siebie prąd tranzystora przewodzącego.

Komórka statycznej pamięci S110S przedstawiona jest na rys. 5-73b.Transy story Tj i pełnią rolę obciążeń tranzystorów i Tg, co razem two-