39097 spektroskopia063

126

Rys. 80. Widma absorpcji dla studni GaAs/AIGaAs o różnych grubościach zmierzone w temperaturze 2 K. Widać, że studnia o grubości 400 nm nie wykazuje efektów

kwantowych [41]

11    1.2    1.3    1.2*    1.5    1.6

Oługoić fali [pm]

Rys. 81. Fotoluminescenqa zespołu studni kwantowych GalnAs/InP o różnych grubościach warstwy GalnAs, zmierzona w temperaturze 2 K [42]

Rys. 82. Widmo pobudzania fotoluminescencji (PLE) dla wielokrotnych studni kwantowych GaAs/AlGaAs w temperaturze 7 K. Maksima oznaczone i E„, (n = 1,2, 3,4) pochodzą od przejść ekscytonowych związanych z ciężkimi i lekkimi dziurami Pobudzane jest przejście luminescencyjne o energii 1,519 eV [42]

ściach studni. Położenie maksimów fotoluminescencji dostarcza informacji o podstawowych przejściach optycznych, pozwalając w szczególności określić szerokość studni. Ostrość maksimum daje z kolei informację o jakości struktury, w szczególności o ostrości między-powierzchni. Jakiekolwiek niejednorodności i różnice grubości warstw prowadzą do znacznego poszerzenia maksimum fotoluminescencji.

Przejścia do stanów wzbudzonych w studniach kwantowych można obserwować za pomocą pomiarów absorpcji, które są trudne do wykonania ze względu na to, że struktura niskowymiarowa znajduje się na podłożu zazwyczaj nieprzezroczystym w tym zakresie widma. Do obserwacji takich przejść bardzo użyteczna jest natomiast spektroskopia pobudzania luminescencji (PLE). Przykładowe wyniki ilustruje rys. 82. Są to rezultaty pomiarów widm PLE dla struktury zbudowanej