64109 P1030349

M-Potowczyk. E.Klugmann - PRZV RZĄDY PÓŁPRZEWODn^^^

Ry«. 6.51. Charakterystyki sialycznc Id(U_gs) przy 17^= consi (a) oru zależność trniskondukuocji g_m i napięcia progowego Uf od napięcia Ug$ 0>) tranzystora BFR29

oraz pojemności międzyclcktrodowc: C_BG, C_BD, i wpływ napięcia na iranskon-duktancję g_m. Według Geigera, Allena i Stadcra [G2] (ranskonduktancja g_mBjest powiązana z transkonduktancją g_m wzorem

(6.192)

f»mB " ^łl" Sm

gdzie:

(6.193)

Schematy zastępcze małosygnałowc, uwzględniające wpływ podłoża przez wprowadzenie drugiego (równoległego) kanału o transkonduktancji g_mB, sterowanego podłożem B, jako drugą bramką, przedstawiają rys.6.52 i rys.6.53.

Rys. 6.52. Małoczęslolliwościowy, małosygnalowy schemat zastępczy Iranzyslora MOS

z uwzględnieniem wpływu podłoża

Rys. 633. Malosygnafowy schemat zastępczy iranzyslora MOS z uwzględnieniem pojemności pasożytniczych i wpływu podłoża

Schemat z rys.6.52 nie zawiera pojemności, dlatego jest słuszny dla bardzo małych częstotliwości.

Natomiast schemat z rys.6.53 ma zastosowanie w zakresie średnich i wielkich częstotliwości, aż do pasma mikrofalowego.