13314 P1030324

230 M.Polowczyk, E.Klugmann - PRZY RZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE

^IC"^ICB0		Ubc
«N“ T ^!e	przy	^VT
% “ %B0		^UBE
^al" i 'C	przy	vT

(6.41)

(6.42)

Często stosowana jest również postać równań Ebersa-Molla uzyskana w wyniku przekształcenia (6.34) i (6.35) w taki sposób, że korzystając z (6.38) podstawia się tam

's + Ibcs-^; Is+Ibes-^

(6.38a)

(6.43)

(6.44)

(6.45)

(6.46)

(6.47)    |

Prądy Ig*, Ię* niekiedy przedstawiane są z uwzględnieniem współczynników nieide-alności złączy w postaci (6.l2a) i (6.19). W takim przypadku równania (6.46), (6.47) przyjmują postać

I_c - ^aN ' IdE " ^JdC    (6.46a)

% ■ °r^f% “ *dE    (6.47a)

- a pomiędzy prądami Igg '^CS^Z zależności (6.12), (6.19) zachodzi związek

Jest to postać:

lub po oznaczeniu

postać

w.    -    IK.

Ic-I_s|e ^Vx "I J-“-( c ^Vt -1

U.U.^-ilJŁ

— e ^T -1

iii

1 IBi

*C - ^aN ' ” *C Ip - ctf • Ip - II

^ES ' °N ■ *CS * ^al " *S    (6.48)

Schematy zastępcze tranzystora wg Gbcrsa-MoIIa przedstawiono na rys.6.14. Schematy te dotyczą tzw. tranzystora idealnego, w którym pomija się rezystancje obszarów

6.1. Tranzystory bipolarne

Rys. 6.14. Schematy zastępcze tranzystora n-p-n wg Ebcm-Molla: a) odpowiednik równali (6.46a), (6.47a); b) odpowiednik równali (636), (637)

quDsincutralnych złączy tranzystora oraz wszystkie inne efekty za wyjątkiem dyfuzji nośników mniejszościowych i unoszenia ich przez pole wbudowane w bazie.

W przypadku, gdy konieczna jest większa dokładność od uzyskiwanej w modelu podstawowym Ebcrsa-Molla, uwzględniamy efekty drugorzędne dla pracy tranzystora, takie jak:

*    rezystancje szeregowe emitera (r_EE.), bazy (rgg.) i kolektora (r_cc.),

•prądygeneracyjne i rekombinacyjnczłączy,

*    tzw. efekt Earlcgo (efekt modulacji grubości bazy) przejawiający się niewielkim wzrostem prądu kolektora i emitera przy wzrości napięcia Uęp w stanie aktywnym normalnym oraz - ze wzrostem wartości napięcia Ug^- w zakresie aktywnym inwersyjnym,

*    zjawiska przebicia złączy.

Schemat zastępcy tranzystora uwzględniający rezystancje szeregowe został przedstawiony na rys.6.15. Wartości rezystancji szeregowych tranzystora są zależne od jego

^ar*dc ^aN*dB

%s. 6.15. Model stałoprądowy tranzystora n-p-n uwzględniający rezystancja szeregowa r_EP. ton- < ^rCC