P1030321

P1030321



224 M-Polowczyk, E.Klugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE

224 M-Polowczyk, E.Klugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE

rCEsat

w zakresie nasycenia


(6.18)

Przedstawione na rysunkach 6.9 i 6.10 charakterystyki dotyczą konfiguracji normalnych tranzystora. Jest jednak oczywiste, ze względu na podobieństwo właściwości złącza kolektorowego i emiterowego, że charakterystyki tranzystora w konfiguracjach inwersyj-nych sąjakościowo podobne. Obserwowane różnice stanowią przede wszystkim mniejsze wartości współczynników a i f3; aj < aN , {Jj « gdzie indeks "I" odnosi się do

Ryt. 6.10. Charakterystyki statyczne tranzystora n-p-n w konfiguracji WE: a) charakterystyka przejściowa be) pny ^apooMl.; b) charakterystyki wyjściowe Ię{UCE) przy UBB=const.; c) cbarakterklerystyka przejściowa IcOb) Pryy Uce=consL; d) charakterystyki wyjściowe lc<l/CE) pray jg=ćonśt


oofaczenia inwersyjnego, a indeks "N" do konfiguracji normalnych. Konsekwencją tego ietf znacznie bliższe wzglądem poziomu zerowego położenie charakterystyk wyjściowych paramctryzowanych prądowo. Przykładowo, na rys.6.11 podajemy na jednym wykresie charakterystyki wyjściowe w konfiguracji normalnej WE i inwersyjnej dla tranzystora ihp*n, w którym pj-0,1 PN.

Rys. 6.11. Charakterystyki wyjściowe tranzystora n-p-n w konfiguracji WE przy O.lpfjC a - w połączeniu normalnym, b - w połączeniu inwersyjnym; (1^ (Il5)|. (Ucdl -wielkości dla połączenia inwersyjnego

Przebieg charakterystyk jest w pewnym stopniu zależny od temperatury tranzystora. Przy wzroście temperatury maleje napięcie przewodzenia złączy tranzystora, przy tym ^TUF ■**" 2mV/K, gdzie kj^p = dUp/ćTT; Up - napięcie w kierunku przewodzenia złącza. Pray wzroście temperatury wzrastają również prądy zerowe tranzystora ICB0 i Iceo-zerowe tranzystorów krzemowych i z GaAs są jednak z reguły znacznie mniejsze od użytecznych składowych prądów kolektora. Prądy zerowe mogą stać się porównywalne ze składowymi użytecznymi prądu kolektora dopiero w wysokich temperaturach - powyżej 100°C. Przykładowo, jeżeli w temperaturze 25°C prąd Ięgg wynosi 10nA, to wzrost temperatury do 150° spowoduje zwiększenie tego prądu do ok. 10pA. Są to więc zwykle zmiany pomijalne. Większe znaczenie mają zmiany temperaturowe współczynnika p. Jak wykazał Jankę [Jl], kTp - temperaturowy współczynnik zmian p, gdzie kTp=P ćłp/flT, w zakresie umiarkowanych gęstości prądu wynosi zwykle od 0,3 do 1%/K. Jeżeli więc w temperaturze 25°C współczynnik P=200, to przy założeniu, że kjp- 0,3% / K, pizy wzroście temperatury do 150°C, współczynnik P wzrośnie o 37,5%, tj. do wartości 275.

6.I.2.2. Modele stałoprądowe

W prostych obliczeniach tranzystor bipolarny może być przedstawiany za pomocą prostych modeli, odrębnie dla poszczególnych zakresów pracy. Zbiór takich modeli przedstawiono schematycznie na rys.6.12. Schematy a) i b) stanowią bardzo zgrubne przybliżenie tranzystora wstanie odcięcia (a) i nasycenia (b). W schemacie bl) uwzględnia się napięcie Ubef występujące między bazą i emiterem w kierunku przewodzenia złącza emiterowego. Ma ono zwykle wartość z przedziału (0,5...0,75V). W schemacie tym


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
P1030332 246 M.Polowczyk, E.Klugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE Rys. 6.28. Malosygnalowc schematy
P1030341 264 M.Polowczyk, E.Klugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE Właściwości dynamiczne tranzystora
76883 P1030328 238 M.Polowczyk. E.Klugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE Rys. 6.23. Ładunkowy schemat
P1030317 216 M.Polowczylc, E.Klugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE Rys. 62. Symbole tranzystorów n-p
62910 P1030325 232 M.Polowczyk. E.Klugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE wykonania, m.in. od domieszk
P1030331 244 M.Polowczyk. E KIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE W schematach zastępczych tranzysto
P1030352 284 M.Polowczyk. E.KJugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE a) b) Rys.658. Typowa zależność
45131 P1030358 296 M.Polowczyk. E.KIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE 6.18. Elementy macierzy [be]
18275 P1030340 262 M.Polowczyk. E.KIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE IGSr- prąd rckombinacyjny br
20022 P1030336 254 M.Polowczyk. EKIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE Rys. 633. Przykłady struktur

więcej podobnych podstron