62910 P1030325

232 M.Polowczyk. E.Klugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE

wykonania, m.in. od domieszkowania poszczególnych jego obszarów. Orientacyjnie przyjmuje się, że rezystancje te mają następujące wartości:    r_Gp= 0,5.. 5Q,

^rBB^,= 50...500Q i ręę.s 5...500. Szczególnie dużą wartość przyjmuje rQg>. Jest to spowodowane tym, że baza w tranzystorze (pionowym) jest bardzo cienka, a prąd bazy płynie tak jak zilustrowano na rys.6.16.

tl_B

Rys. 6.16. Ilustracja wyrażająca sens rezystancji rgg

Wpływ rezystancji szeregowych na charakterystyki statyczne tranzystora został szczegółowo opisany w [G4J. Wpływ ten można zauważyć zwłaszcza na charakterystykach wyjściowych (rys.6.17) oraz na charakterystyce przejściowej i wyjściowej (rys.6.18).

Rys. 6.17. Wpływ rezystancji r_cc- na przebieg charakterystyk wyjściowych tranzystora bipolarnego; linie przerywane - charakterystyki tranzystora idealnego, linie ciągle - charakterystyki tranzystora rzeczywistego

Rys. 6.18. Wpływ rezystancji rutr i r^. na przebieg charakterystyki przejściowej l((Ug^; linie przerywane - charakterystyki tranzystora idealnego, linie ciągłe - charakterystyki tranzystora rzeczywistego

Efekt Garlcgo uwzględnia się za pomocą tzw. napięcia Eariego: U_EN - dla zakresu aktywnego normalnego i Ugj - dla zakresu aktywnego inwersyjnego.

O ile w modelu Ebersa-Molla w stanach aktywnych tranzystora możemy zapisać:

•    dla połączenia normalnego

^BB

I_c-I_s-e^VT przy U_CB>0    ₍₆₄₉₎

•    dla połączenia inwersyjnego

U*.

I_E-Is*e^Vir P^Ry ^UEB>°    (_6i0)

to po uwzględnieniu napięcia Eariego przyjmuje się:

•    dla połączenia normalnego

•    dla połączenia inwersyjnego

Uje

^IE"’^IS'^eVT *

(6.49a)

1 +

^JEC

(6i0a)

Przy aktualnie stosowanych technologiach wykonania tnnzystorów napięcia Eariego mieszczą się w granicach od kilkudziesięciu do kilkuset woltów, a ich uwzględnienie jest wymagane w zasadzie tylko przy projektowaniu układów scalonych.

Efekt Eariego (rys.6.19), można powiedzieć, decyduje o tzw. przewodności wyjściowej gę_e tnnzystorów z cienką bazą.

Rys. 6.19 Wyznaczenie napięcia Eariego